大RAM需求在无需缓冲或预擦除情况下提供比闪存快100倍写入速度
发布时间:2023/12/19 8:57:25 访问次数:67
全新的MCU将产品组合中所采用的集成式铁电随机访问存储器(FRAM)从2KB扩展到了256KB。
FRAM是一项非易失性存储器技术，能够提供无与伦比的灵活性和超低功耗的性能。
MSP430 FRAM生态系统中还涵盖了成千上万的现有软件库、使用说明书和驱动框架，能够简化基于整个产品组合的开发。
256KB的统一存储器(FRAM)可支持经扩展的应用程序代码，并且能满足应用的大RAM需求，同时在无需缓冲或预擦除的情况下提供比闪存快100倍的写入速度。
这些输出有出色的电源抑制性能，在规定的整个运行范围内用高达50μF 的电容可稳定。凭借这样的输出能力，LT6658 可以同时用作基准和稳压器。或者，LT6658还可以用来产生一个基准加一个虚地，或用作两个匹配的跟踪基准。
稳压器类驱动能力之精准电压基准的需求越来越大，启发了我们开发这些超级缓冲基准。结果就得出了开创性的LT6658 Refulator。
DC-DC变压器的使用可在工作期间动态控制，并使nRF51822运行期间的射频峰值电流低于10mA@3V供电 (TX@0dBm&RX)。
nRF51822需要单独供电，如果供电范围在1.8-3.6V之间，用户可选择使用芯片上的线性整流器，如果供电范围在2.1-3.6V之间，可以选择直流1.8V模式和芯片上的DCDC变压器。
全新的MCU将产品组合中所采用的集成式铁电随机访问存储器(FRAM)从2KB扩展到了256KB。
FRAM是一项非易失性存储器技术，能够提供无与伦比的灵活性和超低功耗的性能。
MSP430 FRAM生态系统中还涵盖了成千上万的现有软件库、使用说明书和驱动框架，能够简化基于整个产品组合的开发。
256KB的统一存储器(FRAM)可支持经扩展的应用程序代码，并且能满足应用的大RAM需求，同时在无需缓冲或预擦除的情况下提供比闪存快100倍的写入速度。
这些输出有出色的电源抑制性能，在规定的整个运行范围内用高达50μF 的电容可稳定。凭借这样的输出能力，LT6658 可以同时用作基准和稳压器。或者，LT6658还可以用来产生一个基准加一个虚地，或用作两个匹配的跟踪基准。
稳压器类驱动能力之精准电压基准的需求越来越大，启发了我们开发这些超级缓冲基准。结果就得出了开创性的LT6658 Refulator。
DC-DC变压器的使用可在工作期间动态控制，并使nRF51822运行期间的射频峰值电流低于10mA@3V供电 (TX@0dBm&RX)。
nRF51822需要单独供电，如果供电范围在1.8-3.6V之间，用户可选择使用芯片上的线性整流器，如果供电范围在2.1-3.6V之间，可以选择直流1.8V模式和芯片上的DCDC变压器。
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