在4.5V至38V的输入电压范围内以全N沟道MOSFET工作，可产生范围为0.6V至5V和准确度为±0.75%的输出电压。通过监视输出电感器(DCR)两端的压差或通过使用检测电阻器来检测输出电流。

可编程DCR温度补偿在很宽的温度范围内维持一个准确和恒定的电流限制设定点。强大的内置栅极驱动器最大限度地降低了MOSFET的开关损耗，并允许使用多个并联连接的MOSFET。

固定工作频率可设定在250kHz至770kHz，或可用其内部PLL同步至一个外部时钟。LTC3829仅为90ns的最短接通时间使该器件非常适用于高降压比应用。

三相单输出高效率(高达95%)同步降压型DC/DC控制器LTC3829，该器件具多相(PolyPhase)工作模式、差分输出电压检测和集成的锁相环(PLL)时钟同步。可以对多达6个相位实施并联和异相定时，以最大限度地减少针对高电流应用(高达150A)的输入和输出滤波要求。

这款产品在互连技术和热阻方面实现了最优模块设计，具有很高的电流利用率，因而十分高效。借助EconoDUAL™3 FF600R12ME4，用户可以将功率范围提高多达30%，而产品的封装尺寸保持不变。

除熟悉的焊接式控制端之外，EconoDUAL™3系列的这款新产品还提供高度可靠的PressFIT压接技术控制端。

FF1400R17IP4的新款PrimePACK™3模块的电压为1700V，电流为1400A，大大拓宽了PrimePACK™系列的功率范围。

其目标应用包括：可再生能源、机车牵引、CAV（电动工程车、商用车和农用车）和工业驱动等。

与30纳米级 MLC NAND相比，Samsung的20纳米级MLC NAND提高50%的生产水平。基于20纳米级、8GB和更高密度、SD卡的写入性能比30纳米级 NAND提高30%，器件提供10级额定速度（读取速度为20MB/s，写入速度为10MB/s）。