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差分放大器对正和负端提供真正远端输出电压采样实现高准确度调节

发布时间:2023/12/12 8:50:28 访问次数:95

单通道超低功耗运算放大器,静态电流710nA,最大失调电压2.5mV,温度漂移2.5μV/℃,主要应用于对产品功耗有严格要求的领域。

SGM8041的输入电压为1.4V~5.5V,增益带宽积为14.5KHz,速率为3.3V/ms,共模抑制比为84dB,电源噪声抑制比为80dB。

SGM8041是绿色环保产品,温度范围达到工业标准-40℃到+85℃,并采用SOT23-5,SO-8和MSOP-8的小封装。

20纳米级(nm)NAND芯片,用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。

32 Gb MLC NAND产品采用尖端技术,扩展SAMSUNG公司的存储器卡解决方案,用于智能手机、高端IT应用和高性能存储器卡。

通过采用尖端工艺、设计和控制器技术,与30纳米级NAND相比,Samsung还获得安全可靠的性能。

用20纳米级的存储器卡将提供4GB-64GB的密度。Samsung及时推出了其高性能优质NAND,支持高密度智能手机、高端IT应用和高性能存储器卡的不断增长的存储器要求。

差分放大器对正和负端提供真正远端输出电压采样,从而可实现高准确度调节,且不受走线、通孔和互联线中的IR损耗影响。

应用包括大电流ASIC和FPGA电源、配电总线、大功率音频放大器和网络服务器。

FF600R12ME4的新款EconoDUAL™3模块是颇受欢迎的EconoDUAL™系列中功率最高的产品,电压为1200V,电流为600A。

典型应用包括变频器、光伏发电系统中的集中式逆变器和CAV车辆的柴油发电机驱动等。


单通道超低功耗运算放大器,静态电流710nA,最大失调电压2.5mV,温度漂移2.5μV/℃,主要应用于对产品功耗有严格要求的领域。

SGM8041的输入电压为1.4V~5.5V,增益带宽积为14.5KHz,速率为3.3V/ms,共模抑制比为84dB,电源噪声抑制比为80dB。

SGM8041是绿色环保产品,温度范围达到工业标准-40℃到+85℃,并采用SOT23-5,SO-8和MSOP-8的小封装。

20纳米级(nm)NAND芯片,用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。

32 Gb MLC NAND产品采用尖端技术,扩展SAMSUNG公司的存储器卡解决方案,用于智能手机、高端IT应用和高性能存储器卡。

通过采用尖端工艺、设计和控制器技术,与30纳米级NAND相比,Samsung还获得安全可靠的性能。

用20纳米级的存储器卡将提供4GB-64GB的密度。Samsung及时推出了其高性能优质NAND,支持高密度智能手机、高端IT应用和高性能存储器卡的不断增长的存储器要求。

差分放大器对正和负端提供真正远端输出电压采样,从而可实现高准确度调节,且不受走线、通孔和互联线中的IR损耗影响。

应用包括大电流ASIC和FPGA电源、配电总线、大功率音频放大器和网络服务器。

FF600R12ME4的新款EconoDUAL™3模块是颇受欢迎的EconoDUAL™系列中功率最高的产品,电压为1200V,电流为600A。

典型应用包括变频器、光伏发电系统中的集中式逆变器和CAV车辆的柴油发电机驱动等。


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