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混合p-n肖特基为电路设计师提供更强浪涌性能及极低泄漏电流

发布时间:2023/12/6 22:36:42 访问次数:60

耐压更高的(EPCOS) MKP(金属化聚丙烯膜)X2 EMI抑制电容器。

这一特性可以通过温度为85℃,相对湿度为85%,电压为330V AC,时间为1000小时的湿热测试验证试验。

这种新型碳化硅肖特基二极管的混合p-n肖特基 (MPS) 结构可以为电路设计师提供更强的浪涌性能以及极低的泄漏电流。

相比传统的硅功率二极管,这种碳化硅肖特基二极管可提高转换器效率与功率密度,同时帮助降低系统层面的成本。

在MCU中集成DDR2存储器,在业内属于首创。这不但将日益复杂的通信协议栈和算法的吞吐率提高了2倍,而且还增大了图形缓冲和/或存储空间。其结果是,帮助客户在竞争激励的通信控制市场中推出引人注目、易于使用的解决方案,而无需增加产品型号。

采用业界容量最大的集成存储器,这些MCU满足了设计人员对应用存储空间的需求,其存储速度是市场上其他任何存储器的两倍。

PIC32MZ DA MCU和MPLAB Harmony相结合后,业界的图形设计比以前简单多了。

USB 3.0的产品只提供USB数据接收与传送功能外,RTS5400还内建了Type-C Power Delivery控制单元,并且整合High Speed MUXs与Low Speed MUXs到芯片内,减少了系统BOM cost。

因此在该芯片的上行或下行埠皆可支持Type-C连接器及Power Delivery控制功能,可轻易设计完成支持一个USB 3.1 Type-C上行埠及下行端口全功能的USB 3.1 Type-C产品。

HADP能够让系统开发人员轻松使用原型ECU(可加快汽车量产的速度)来验证和集成软件,从而缩短上市时间。

DSPIC33EP512MU810-E/PF

耐压更高的(EPCOS) MKP(金属化聚丙烯膜)X2 EMI抑制电容器。

这一特性可以通过温度为85℃,相对湿度为85%,电压为330V AC,时间为1000小时的湿热测试验证试验。

这种新型碳化硅肖特基二极管的混合p-n肖特基 (MPS) 结构可以为电路设计师提供更强的浪涌性能以及极低的泄漏电流。

相比传统的硅功率二极管,这种碳化硅肖特基二极管可提高转换器效率与功率密度,同时帮助降低系统层面的成本。

在MCU中集成DDR2存储器,在业内属于首创。这不但将日益复杂的通信协议栈和算法的吞吐率提高了2倍,而且还增大了图形缓冲和/或存储空间。其结果是,帮助客户在竞争激励的通信控制市场中推出引人注目、易于使用的解决方案,而无需增加产品型号。

采用业界容量最大的集成存储器,这些MCU满足了设计人员对应用存储空间的需求,其存储速度是市场上其他任何存储器的两倍。

PIC32MZ DA MCU和MPLAB Harmony相结合后,业界的图形设计比以前简单多了。

USB 3.0的产品只提供USB数据接收与传送功能外,RTS5400还内建了Type-C Power Delivery控制单元,并且整合High Speed MUXs与Low Speed MUXs到芯片内,减少了系统BOM cost。

因此在该芯片的上行或下行埠皆可支持Type-C连接器及Power Delivery控制功能,可轻易设计完成支持一个USB 3.1 Type-C上行埠及下行端口全功能的USB 3.1 Type-C产品。

HADP能够让系统开发人员轻松使用原型ECU(可加快汽车量产的速度)来验证和集成软件,从而缩短上市时间。

DSPIC33EP512MU810-E/PF

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