功率因数校准电路附加测量对测量仪器精度也有很高的要求
发布时间:2023/11/28 23:31:02 访问次数:87
IRF6811控制MOSFET及IRF6894同步MOSFET分别以小罐及中罐供货。
25V DirectFETplus 组件结合了业界领先的导通电阻和栅极电荷以及低电荷，将传导和开关损耗降到最低。IRF6894还设有集成式单片肖特基二极管，可降低由体二极管传导和反向恢复导致的损耗。新型DirectFETplus MOSFET与上一代器件的占位面积兼容。
开发WT3000T时，对变压器制造商进行了深入了解。他们需要一台可执行准确测量的仪器，要求仪器有清晰的超载和安全指示，同时直接读出关键参数。
在发电和配电行业，变压器制造商尤其关注的是变压器损耗带来的经济影响。
在标准交流频率范围(45-66Hz)范围内，WT3000T可以在功率因数只有0.01(100V/1A)的情况下提供高于0.6%的精度。
通过使用32位RISC处理器和高质量16位模拟/数字转换器，可以实现6位分辨率。
DirectFETplus功率MOSFET系列，采用了IR的新一代硅技术，可为 12V输入同步降压应用提供最佳效率，这些应用包括新一代服务器、台式电脑和笔记本电脑。
电网中电容器、线路滤波线圈或其它功率因数校准电路的附加测量对测量仪器的精度也有很高的要求。
在VSL颁发的仪器校准证书中，测试频率为53Hz，功率因数分别为1、0.5、0.05、0.01和0.001。由于稳定性和精度很高，WT3000T也可以作为标准器使用。WT3000T拥有长期稳定性，建议每隔两年校准一次，可确保最大限度减少停机时间和金钱。
手机从单纯的语音交流工具发展成集通讯、成像、游戏于一体的多媒体设备，应用处理器正在取代基带芯片成为手机的核心。
http://zpfykj.51dzw.com深圳市展鹏富裕科技有限公司
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25V DirectFETplus 组件结合了业界领先的导通电阻和栅极电荷以及低电荷，将传导和开关损耗降到最低。IRF6894还设有集成式单片肖特基二极管，可降低由体二极管传导和反向恢复导致的损耗。新型DirectFETplus MOSFET与上一代器件的占位面积兼容。
开发WT3000T时，对变压器制造商进行了深入了解。他们需要一台可执行准确测量的仪器，要求仪器有清晰的超载和安全指示，同时直接读出关键参数。
在发电和配电行业，变压器制造商尤其关注的是变压器损耗带来的经济影响。
在标准交流频率范围(45-66Hz)范围内，WT3000T可以在功率因数只有0.01(100V/1A)的情况下提供高于0.6%的精度。
通过使用32位RISC处理器和高质量16位模拟/数字转换器，可以实现6位分辨率。
DirectFETplus功率MOSFET系列，采用了IR的新一代硅技术，可为 12V输入同步降压应用提供最佳效率，这些应用包括新一代服务器、台式电脑和笔记本电脑。
电网中电容器、线路滤波线圈或其它功率因数校准电路的附加测量对测量仪器的精度也有很高的要求。
在VSL颁发的仪器校准证书中，测试频率为53Hz，功率因数分别为1、0.5、0.05、0.01和0.001。由于稳定性和精度很高，WT3000T也可以作为标准器使用。WT3000T拥有长期稳定性，建议每隔两年校准一次，可确保最大限度减少停机时间和金钱。
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