箝位二极管在IC其它电路遭到破坏之前导通，箝位管要有足够的承受力，保证ESD电流不会导致二次击穿。

2kV HBM测试的箝位过程,电压包括I-R压降和突变稳定后的箝位电压。

静电放电强度以电压形式表示，该电压由电容的储能电荷产生，最终传递到IC。作用到IC的电压和电流强度与IC和ESD源之间的阻抗有关。对电荷来源进行评估后建立了ESD测试模型。

IC的额定电压由最大电压决定，VESD是IC能够承受的一种特定的ESD源。Maxim IC所能承受的ESD指标在可靠性报告中可以查找到。

箝位电压高于IC所能承受的电压(典型值6V)，低于二极管的击穿电压(约10V)时，对于存在去耦电容的情况，因为电容储能可能导致某些问题。如果IC在没有外部电路的情况下进行测试，引脚上作用10V电压是可以接受的，对器件不会构成威胁。

电源去耦电容增大到一定程度后，电荷传输不会产生导致箝位电路击穿的电压。

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