3-D三栅极晶体管使芯片能够在更低的电压下运行，并进一步减少漏电量，与之前最先进的晶体管相比，它能提供前所未有的更高性能和能效。

与之前的32纳米平面晶体管相比，22纳米3-D三栅极晶体管在低电压下将性能提高了37%。这一惊人的改进意味着它们将是小型手持设备的理想选择，这种设备要求晶体管在运行时只用较少的电力进行“开关”操作。

全新的晶体管只需消耗不到一半的电量，就能达到与32纳米芯片中2-D平面晶体管一样的性能。

紧凑型的射频诊断暗室R&S®DST200，让移动电话等无线设备的研发人员能在工作台上实现射频辐射测量。此台式暗室模拟能近似自由空间的测试条件，设计者们无需再为等待大型EMC试验室而浪费大量宝贵的时间和经费。

宽带功率放大器R&S®BBA100：其紧凑,模块化设计和高可靠性使其方便地应用于各类产品EMS测试。

LCD触摸屏界面可确保通过使用比传统软按键模式更少的按键次数来设置调制参数或扫频信号，从而节省了工程师的操作时间并降低了错误风险。

这些能力让芯片设计师可以根据应用的需求灵活地选用低能耗或高性能晶体管。

相比前代产品，第八代产品的功率密度和能效分别提升了15%和5%（取决于具体应用）。

采用体积小、性价比高的SOT502封装尺寸,提供超过500W（P3dB）的峰值功率,可用作调峰晶体管。

更宽的视频带宽，支持全波段操作。

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