随着时间的推移，功率晶体管技术得到了持续的改善。器件的体积不断缩小，功率密度越来越高。

专有Trench 3工艺的下一代MOSFET产品，可用于台式机、笔记本和上网本等应用，有助于提升能效及开关性能，同时裸片尺寸更小。

同时利用封装技术实现产品创新，以更纤薄的封装、更低占位面积实现更高I/O密度，不断提高封装热效率及工作温度范围，也使每个封装的裸片尺寸选择更多。还将以更薄、直径更大的晶圆和铜线夹来降低材料成本.

氮化镓(GaN)晶圆生产工艺、GaN器件集成工艺、GaN制造工艺、GaN封装工艺、绝缘硅晶圆生产工艺、接触/隔离沟槽工艺模块、低电感封装、电感和电容集成等众多工艺技术；

在电压高于1kV的大功率晶体管方面，双极结构已成为首选；低于1kV电压，特别是频率高于100kHz时，更多采用的是MOSFET。高于此电压的大电流应用则选择IGBT。

开发这类器件的主要挑战在于，在开关频率持续上升时，需要通过减小由导通阻抗导致的导电损耗、降低内部电容，以及改善反向恢复性能，将内部损耗降到最低。

除了兼容2G与3G，TD-LTE于FDDLTE的共模也是TD-LTE终端芯片发展的重要方向。目前，大部分芯片厂商已经开发出共模的产品，绝大多数厂商已经开始研发共模的TD-LTE芯片。

对于每列6对差分的连接器，对应最小为36毫米的卡槽间距，每英寸提供82.4个差分信号对。

对于每列4对差分的连接器，对应最小为25毫米的卡槽间距，每英寸提供54.9个信号对。

对于每列2对差分的连接器，对应的插卡槽间距小至15毫米，沿卡缘每英寸可提供27.5个信号对。

超低损耗MOSFET/IGBT、智能电源IC及集成功率模块等方面的研发和创新，而且取得了长足的进展。

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