预加重和可编程均衡电路可对长距离传输的信号进行转接驱动
发布时间:2023/11/22 0:12:12 访问次数:95
SiGe BiCMOS技术可以使输出功率不受信号频率、分频比、温度及供给电压变化的影响。
该分频器的电压供给是5v，有一个电源中断引脚，输入和输出信号的隔离度为75dB，而且其输出功率可调，输出占空比是50%。
HMC794LP3E有工业级的噪声性能和可选择的分频比，故非常适合用在时钟及仪器、软件无线电、多频带合成器上，产生本振信号。在快速开关应用中，两个HMC794LP3E组成的芯片选通组可以显著提高信号源的隔离度。
突发模式(Burst Mode®)工作可将无负载情况下的静态电流降至仅为75uA，从而在电池供电应用中最大限度地提高了轻负载效率和运行时间。
此外，可编程开关转换率可以进一步减轻潜在的噪声问题。
LTC3616还为跟踪功能和DDR存储器模式提供输入，在这种模式中，器件可以提供/吸收±3A的电流。
其它特点包括可选的有源电压定位 (Active Voltage Positioning)、电源良好(Power Good)电压监视器、外部同步功能和热保护。
砷化镓MMIC的混频器HMC915LP4E,该混频器采用4*4mm的QFN SMT封装，与HITTITE另一款双平衡混频器HMC215LP4E（工作频带1.7到4.0GHz）管脚兼容。
HMC915LP4E可工作在0.5到2.7GHz，适合应用在宽带，LTE/4G，和测试设备中，既可以用做上变频器也可以用做下变频器。
可选择预加重和可编程均衡电路可对长距离传输的信号进行转接驱动，大大提高了布局的灵活性。
在宽中频情况下，既可用在高本振环境也可用在低本振环境，此时中频可高达1GHz。
http://zpfykj.51dzw.com深圳市展鹏富裕科技有限公司
SiGe BiCMOS技术可以使输出功率不受信号频率、分频比、温度及供给电压变化的影响。
该分频器的电压供给是5v，有一个电源中断引脚，输入和输出信号的隔离度为75dB，而且其输出功率可调，输出占空比是50%。
HMC794LP3E有工业级的噪声性能和可选择的分频比，故非常适合用在时钟及仪器、软件无线电、多频带合成器上，产生本振信号。在快速开关应用中，两个HMC794LP3E组成的芯片选通组可以显著提高信号源的隔离度。
突发模式(Burst Mode®)工作可将无负载情况下的静态电流降至仅为75uA，从而在电池供电应用中最大限度地提高了轻负载效率和运行时间。
此外，可编程开关转换率可以进一步减轻潜在的噪声问题。
LTC3616还为跟踪功能和DDR存储器模式提供输入，在这种模式中，器件可以提供/吸收±3A的电流。
其它特点包括可选的有源电压定位 (Active Voltage Positioning)、电源良好(Power Good)电压监视器、外部同步功能和热保护。
砷化镓MMIC的混频器HMC915LP4E,该混频器采用4*4mm的QFN SMT封装，与HITTITE另一款双平衡混频器HMC215LP4E（工作频带1.7到4.0GHz）管脚兼容。
HMC915LP4E可工作在0.5到2.7GHz，适合应用在宽带，LTE/4G，和测试设备中，既可以用做上变频器也可以用做下变频器。
可选择预加重和可编程均衡电路可对长距离传输的信号进行转接驱动，大大提高了布局的灵活性。
在宽中频情况下，既可用在高本振环境也可用在低本振环境，此时中频可高达1GHz。
http://zpfykj.51dzw.com深圳市展鹏富裕科技有限公司
相关技术资料- 5-29芯片功耗小于1.5W可用于对整机尺寸及散热有较高要求的产品
- 5-29解决训练数据集不足引起算法精度下降及长尾场景下算法泛化性问题
- 5-28强大的任意波形编辑功能可模拟各种电网扰动波形是测试理想选择
- 5-28在端侧边缘侧面积功耗受限情况下以有效算力支持智能算法
- 5-28在电流模式运行时PWM占空比由误差放大器输出和峰值电感电流控制
- 5-28石墨烯材料制造具有高灵敏度高响应速度和宽波长范围等优点
- 5-28与领先TLC SSD相比Solidigm新产品带来高达14%的写入寿命提升
- 5-28开关速度和更低的开关损耗能够满足高频率和高效率的应用需求
- 5-28USB-C的完整ESD保护总共需要三种不同类型的TVS二极管
- 5-28ESD保护应用需要具有超低寄生电容和低钳位电压TVS二极管
- 5-28磁耦合RF变压器用于射频电路中满足高频信号传输和转换需求
- 5-28在−40°C至125°C的温度范围内工作具有高水平的辐射耐受性
公网安备44030402000607
