nvSRAM对于需要连续高速读写数据和绝对非易失性数据安全的应用来说，是非常理想的选择。

关键任务系统需要能在掉电的瞬间立即可靠地捕获数据的高性能存储器。

16 Mb nvSRAM能够实现绝对的数据安全，并且是业界最快的高容量NVRAM。ONFI 1.0可选接口能使采用NAND控制器的客户也可以享受到我们nvSRAM无与伦比的性能。

半导体一系列16Mb非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM），包括具有异步并行和异步开放式NAND闪存接口（ONFI）标准1.0接口的器件。

以可达93%的效率为两串或三串背光LED供电

使用2.5x2mm2尺寸的电感器在15mA负载电流条件下产生效率为88%的+/-5V显示电源

模拟、PWM和混合调光

在低至1mA条件下实现+/-2.2%电流匹配精度，50μA条件下为+/-2.8%

2.5V-5V输入电压范围

VP和VN输出调节范围：+/4.5V至+/-6V，步幅50mV

I2C接口，可调节输出电压设置

1uA关断供电电流

A5100-A采用四星定位支持，精准度前所未有。借助CSR TricklePowerTM和Push-to-Fix (PtF)模式，A5100-A的首次定位时间 (TTFF)缩短达30%，功耗降低达20%。

A5100-A拈不仅可助力用户缩短产品上市时间，同时由于它集成了温度补偿晶体振荡器（TCXO）、SAW滤波器、实时时钟（RTC）、天线控制机制以及用以软件升级的闪存等丰富功能，并且可直接替换Maestro前代 SiRFstar4拈，因此可降低开发风险。

此外，这一插槽式设计也有助于实现极简制造从而缩减组装成本。

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