监测井下孔洞的位置传感器，基于LVDT线性位置传感器提供钻井设备向下钻进位置的反馈控制，如衡量钻孔ID的孔范围。

元件在电动非导电下额定压力为20,000psi，在高达400°F的连续温度具有化学良性媒体。

为了适应高压，该传感器封装用来平衡LVDT线性位置传感器的内外压力。其它性能包括一个3/8”直径设计，轻型低质量核心，以及操作任一传统差分输入LVDT信号调节器。

HMC798LC4工作温度为–40°~85°C，采用紧凑型RoHS兼容无引线4x4mm陶瓷SMT封装。

嵌入式功能和FIFO缓存的配合使用，使终端处理器仅对要求的数据进行分析；同时在相同I2C总线上复用其他传感器时，这有助于防止数据丢失。

MMA8450Q加速计的目标应用包括便携式消费器件，如移动电话和远程控制设备，以及智能本、电子书阅读器（eReader）、上网本、笔记本电脑、PMP及PDA等。

其他应用包括医疗应用中的活动监控，导航应用中的航位推测辅助，车队跟踪中的位置检测，以及电源工具和小型电器的安全关闭。

500伏特(V)和600V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)系列。

这些器件使用平面条形(planar stripe)技术，能在极苛刻应用中工作。低门电荷降低开关损耗，还提高电源能效。这些器件的额定雪崩能量在电源应用中提供强固的工作。这些器件的优异性能组合帮助开发更高能效的电源子系统。

未来我们将继续扩充高压功率MOSFET产品阵容，为消费及工业客户提供针对性的方案。这些新器件的推出是不断加强其业界领先高能效电源方案供应商地位的又一实例。

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