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小数时钟合成技术提供频率灵活性和230fs rms抖动性能时钟解决方案

发布时间:2023/11/16 23:11:45 访问次数:68

0.9pF±30kV分散式单向瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)系列产品。

 SP3222系列瞬态抑制二极管阵列将低电容轨到轨二极管和附加的齐纳二极管组合在一起,为可能遭受破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供保护。 这种功能强大的二极管符合AEC-Q101标准,可安全吸收高于国际标准规定的最高级别的反复性ESD放电,且性能不会下降。

SP3222系列瞬态抑制二极管阵列的其他应用包括高速串行接口、MHL、DisplayPort 1.3、机顶盒、游戏机、智能手机、外部存储设备、笔记本电脑、超极本、平板电脑和电子阅读器。

全新12纳米领先性能(12LP)的FinFET半导体制造工艺。该技术预计将提高当前代14纳米FinFET产品的密度和性能,同时满足从人工智能、虚拟现实到高端智能手机、网络基础设施等最具计算密集型处理需求的应用。

世界正在处于向智能互联时代转型之中,这是一个前所未有的趋势。

全新的12LP技术以更高的性能和密度帮助我们的客户在系统层面上继续创新,包括实时连接以及从高端图像处理、汽车电子到工业应用等边缘处理。

高性能时钟发生器系列产品,特别针对10/25/100G应用提供业界最高集成度的时钟解决方案。

新型Si5332时钟系列产品利用Silicon Labs经过验证的MultiSynth小数时钟合成技术,提供具有一流频率灵活性和230fs rms抖动性能的时钟解决方案。

多种覆盖6、8和12个时钟输出的Si5332选项,可为要求严苛的应用实现时钟树整合。

这些应用包括超大型数据中心交换机、服务器、存储、网络、小型蜂窝网络、宽带、广播视频、多功能打印机和工业应用等。

深圳市裕硕科技有限公司http://yushuo.51dzw.com


0.9pF±30kV分散式单向瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)系列产品。

 SP3222系列瞬态抑制二极管阵列将低电容轨到轨二极管和附加的齐纳二极管组合在一起,为可能遭受破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供保护。 这种功能强大的二极管符合AEC-Q101标准,可安全吸收高于国际标准规定的最高级别的反复性ESD放电,且性能不会下降。

SP3222系列瞬态抑制二极管阵列的其他应用包括高速串行接口、MHL、DisplayPort 1.3、机顶盒、游戏机、智能手机、外部存储设备、笔记本电脑、超极本、平板电脑和电子阅读器。

全新12纳米领先性能(12LP)的FinFET半导体制造工艺。该技术预计将提高当前代14纳米FinFET产品的密度和性能,同时满足从人工智能、虚拟现实到高端智能手机、网络基础设施等最具计算密集型处理需求的应用。

世界正在处于向智能互联时代转型之中,这是一个前所未有的趋势。

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新型Si5332时钟系列产品利用Silicon Labs经过验证的MultiSynth小数时钟合成技术,提供具有一流频率灵活性和230fs rms抖动性能的时钟解决方案。

多种覆盖6、8和12个时钟输出的Si5332选项,可为要求严苛的应用实现时钟树整合。

这些应用包括超大型数据中心交换机、服务器、存储、网络、小型蜂窝网络、宽带、广播视频、多功能打印机和工业应用等。

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