通过连续监控短路条件下的D+/D-线感测是否连接USB充电器

发布时间:2023/11/12 0:03:24 访问次数:96

带有高集成度过电压保护(OVP)和USB/充电器检测功能的器件FAN3988。

该器件是OVP产品系列的最新成员，可让终端用户按照应用所需之特定导通电阻和电流能力，灵活选择外部P沟道MOSFET。

FAN3988具备内置自动检测功能，器件通过连续监控短路条件下的D+/D-线，能够感测是否连接USB充电器。

过频保护(0F),当发电机输出频率高于430Hz时,保护电路发出信号,经固定延时1s后,断开GCR和GCB。

当欠频时即频率低于370Hz时,rl截止时间变长,则Cl的充电时间变长,C1上电压(即AI“+”端电压)高于代“-”

端电压,A1输出高电位,并通过R7、D2向C2充电。在波形的正半周和负半周的部分时间内,处1输出低电位,这时C2通过R:放电。由于放电时间常数R:C2大于充电时间常数R7C2(约10倍),因此在欠频时,每个周期内C2上都有电荷积累,电压逐步升高,起到了延时作用。

当C2上的电压升高到D3的击穿电压时,发出欠频信号,切断发电机输出。在D3击穿前,如故障消失,则不会发出欠频信号。

MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层,以及一个通过隧道结与其隔离的自由层。

当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性。而当自由层被施予反方向的极化时，MTJ便会有高电阻。

MTJ储存单元的优点之一是其采用的磁性极化的方式与传统的电荷存储方式不同，有效避免了电荷漏电的问题，从而保证数据能够在宽广的温度范围内被长期保存。第二个优点是，两个状态间的磁性极化切换不会涉及到实际的电子或原子移动，因此不会有耗损机制的存在。