双级POL转换从12Vin直接操作节省能源缩减体积和成本效果

发布时间:2023/11/9 23:26:47 访问次数:53

600V、47A N沟道功率MOSFET---SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大导通电阻，栅极电荷减小到216nC，采用TO-247封装。

栅极电荷与导通电阻的乘积是用于功率转换应用中MOSFET的优值系数(FOM)，SiHG47N60S的FOM为15.12Ω-nC，是业界此类器件当中最低的。

SiHG47N60S的低导通电阻意味着更低的传导损耗，从而在太阳能电池和风力发电机的逆变器、通信、服务器和电机控制电源应用中的逆变器电路和脉宽调制(PWM)全桥拓扑中节约能源。

充分满足无线数据激增需求且拥有4G性能级别的无线基站片上系统(SoC)，从而可在全球运营商纷纷通过低成本方式努力提高网络容量的市场环境下，帮助他们在应对用户数据激增方面始终运筹帷幄。

TMS320TCI6616 SoC自设计之初即以无线数据引擎为构建目标，其建立在全新TMS320C66x数字信号处理器(DSP)与KeyStone多内核架构基础之上，拥有比当前市面上任意一款3G/4G SoC高出两倍的性能。

TCI6616还可大幅提升业界首款能够同时处理定点和浮点数学运算的多内核DSP的性能，这一极富创新性的强大功能可显著简化无线基站的软件设计。

新功能还包括过压保护和外部同步选项，以减少多轨系统的噪声和EMI，另外还有专为可调整PGOOD及OV阈值设置的精确的输出电压检测选项。

新器件不再需要传统的双级POL转换,并能通过从12Vin直接操作达到节省能源,缩减体积和成本的效果。

Armada XP是一个SoC芯片，最高可以提供16,600 Dhrystone MIPS的性能，而功耗只有10W。

芯片还包括了2MB L2缓存、支持频率高达8090MHz的64位接口的DDR2/3内存、支持四条PCI-E 2.0链路和16条SerDes信道。