IRF6798MPbF还提供仅为0.25mΩ的极低栅极电阻，避免了与Cdv/dt相关的击穿。

通过改善关键参数不断提升功率MOSFET的性能。新款IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET芯片组把低电荷及低导通电阻(RDS(on))与业界最低的栅极电阻(Rg)相结合，使传统上由典型同步降压转换器的同步和控制接口产生的传导损耗和开关损耗降到了最低。

IRF6706S2PbF小罐DirectFET也具备低电荷和低导通电阻，可减少开关损耗及传导损耗，还可为快速开关提供极低的栅极电阻。

ATA6663和ATA6664是独立的LIN总线收发器集成电路，而ATA6628/29/30/31 LIN收发器是系统基础芯片(SBC)。

与独立的LIN收发器比较，SBC集成度更高，包括有电压调节器、一个看门狗定时器(Watchdog Timer，WDT)，和高准确度的电压分压器，支持电源电压测量等应用。器件的低耗电管理同时也使混合供电(Mixed-supplied)LIN总线系统和在LIN总线的接地短路消耗更低的功率。

4Gb DDR3芯片，主要是采用40纳米制程生产，且响应近期科技产业吹起的环保风，4Gb DDR3芯片新产品与上一代2Gb的DDR3相比较，可节省30%的耗电量。

这项4Gb DDR3芯片新产品最高容量可用于32GB内存模块，初期应用领域是在服务器、大型数据中心或其他大型系统等，其他应用范围还包括消费性电子、个人计算机 (PC)、游戏机等，而用于大型系统时，其省电的特性即更能淋漓发挥。