漏极电流和电压和用于FDD和TDD操作的集成偏置关闭能力
发布时间:2023/11/2 23:09:16 访问次数:84
Thor M7450是一个集成RAM的双片解决方案，使目标应用的尺寸变得更加紧凑。
M7450设计采用28nm CMOS工艺，基于自Thor M7400开始引入的突破性架构，功耗处于市场领先水平。新产品支持3GPP Release 10版本，LTE Category 4下行速率达150Mbps，并且支持VoLTE。
芯片组支持LTE-FDD、LTE-TDD、HSPA+、GSM和TD-SCDMA，可满足LTE终端在全球广泛普及过程中对设计简洁、高性价比modem解决方案的需求。
在modem技术领域的创新，在提高数据下载速度的同时，而不会影响产品尺寸或者功耗。
在如此小的封装内实现速度和能效俱佳的完整的LTE Advanced modem解决方案。
HT45FH3T针对3D眼镜应用，提供了3D眼镜应用所需的功能，并采用HOLTEK Tinypower架构技术，大幅降低单片机耗电流。
因此3D眼镜使用的电池寿命能用的更久，不需要常常充电或是更换电池，且此颗MCU提供了ADC功能，以便侦测3D眼镜内的电池电压，提供更换电池的警示功能。
除了原有 HT45F3T的功能外，整合了1个3V LDO输出及4个 Level Shift功能，除了可节省外部的零件外，更进一步缩减PCB面积。
双匹配低噪声放大器---TQP3M9039、TQP3M9040，非常适合用于平衡高性能的射频设计配置。
1500-2300 MHz的GaAs pHEMT低噪声放大器： 0.62dB的噪声系数； 38.8dB的OIP3； 21dBm的P1dB射频输出功率； 单正电源(在57mA为4.4V)。 其双放大器结构使操作平衡，它提供了可调节的偏置(漏极电流和电压)和用于FDD和TDD操作的集成偏置关闭能力。采用4x4mm QFN封装。
Thor M7450是一个集成RAM的双片解决方案，使目标应用的尺寸变得更加紧凑。
M7450设计采用28nm CMOS工艺，基于自Thor M7400开始引入的突破性架构，功耗处于市场领先水平。新产品支持3GPP Release 10版本，LTE Category 4下行速率达150Mbps，并且支持VoLTE。
芯片组支持LTE-FDD、LTE-TDD、HSPA+、GSM和TD-SCDMA，可满足LTE终端在全球广泛普及过程中对设计简洁、高性价比modem解决方案的需求。
在modem技术领域的创新，在提高数据下载速度的同时，而不会影响产品尺寸或者功耗。
在如此小的封装内实现速度和能效俱佳的完整的LTE Advanced modem解决方案。
HT45FH3T针对3D眼镜应用，提供了3D眼镜应用所需的功能，并采用HOLTEK Tinypower架构技术，大幅降低单片机耗电流。
因此3D眼镜使用的电池寿命能用的更久，不需要常常充电或是更换电池，且此颗MCU提供了ADC功能，以便侦测3D眼镜内的电池电压，提供更换电池的警示功能。
除了原有 HT45F3T的功能外，整合了1个3V LDO输出及4个 Level Shift功能，除了可节省外部的零件外，更进一步缩减PCB面积。
双匹配低噪声放大器---TQP3M9039、TQP3M9040，非常适合用于平衡高性能的射频设计配置。
1500-2300 MHz的GaAs pHEMT低噪声放大器： 0.62dB的噪声系数； 38.8dB的OIP3； 21dBm的P1dB射频输出功率； 单正电源(在57mA为4.4V)。 其双放大器结构使操作平衡，它提供了可调节的偏置(漏极电流和电压)和用于FDD和TDD操作的集成偏置关闭能力。采用4x4mm QFN封装。
公网安备44030402000607
