功率MOSFET关断时储存在电感上能量转换为LED驱动电流
发布时间:2023/10/31 8:38:08 访问次数:175
14纳米凌动内核，即Airmont，芯片还使用45纳米技术制造，让英特尔在PC芯片方面落后一代。
从22纳米工艺开始，英特尔将改变笔记本的功率范围设计，设计目标由40W下降到15W。另外，还将提供大量片上系统解决方案来涵盖1W至10W范围的芯片。
将在Medfield（32纳米凌动）芯片的基础上设计智能手机芯片,由于对目前处理器路线图的不甚满意，一个目标是在智能手机和平板电脑设备上部署其处理器。Paul认为应该改变原有路线图，寻找新的中心点。
当VDD电压大于UVLO时，GATE端可以输出高电平，此时电路将通过限制功率管电流峰值的方式工作。
如果希望系统软启动，则可在LD端对地并接一个电容，以使LD端电压按期望的速率上升，进而控制LED的电流缓慢上升。
因为Silicon Labs MCU产品的许多目标应用需要与计算机或应用处理器进行通信，因此该公司根据需要提供了通信函数库和驱动程序。所有这些代码使得嵌入式设计人员能够专注于产品开发，而不是复杂的MCU或软件协议。
新的四核处理器主要特点是针对性能强化的同时将功耗降至最低。其热设计功耗为27.5W，处理器主频为1.2GHz。
14纳米凌动内核，即Airmont，芯片还使用45纳米技术制造，让英特尔在PC芯片方面落后一代。
从22纳米工艺开始，英特尔将改变笔记本的功率范围设计，设计目标由40W下降到15W。另外，还将提供大量片上系统解决方案来涵盖1W至10W范围的芯片。
将在Medfield（32纳米凌动）芯片的基础上设计智能手机芯片,由于对目前处理器路线图的不甚满意，一个目标是在智能手机和平板电脑设备上部署其处理器。Paul认为应该改变原有路线图，寻找新的中心点。
当VDD电压大于UVLO时，GATE端可以输出高电平，此时电路将通过限制功率管电流峰值的方式工作。
如果希望系统软启动，则可在LD端对地并接一个电容，以使LD端电压按期望的速率上升，进而控制LED的电流缓慢上升。
因为Silicon Labs MCU产品的许多目标应用需要与计算机或应用处理器进行通信，因此该公司根据需要提供了通信函数库和驱动程序。所有这些代码使得嵌入式设计人员能够专注于产品开发，而不是复杂的MCU或软件协议。
新的四核处理器主要特点是针对性能强化的同时将功耗降至最低。其热设计功耗为27.5W，处理器主频为1.2GHz。
相关技术资料- 4-293kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块应用概述
- 4-29工业用GaN晶体管产品系列CoolGaN G5研究
- 4-29全球首款集成SBD（肖特基二极管）详解
- 4-29NVIDIA DRIVE Thor SoC芯片数据参数设计
- 4-29Orin-X芯片L4级全场景解决方案
- 4-29全球首发新一代Robotaxi探究
- 4-28解读人形机器人关键技术和未来趋势
- 4-28世界最小应变式六维力传感器结构参数设计
- 4-28高精度信号采集通讯模块RS485
- 4-28高分辨率磁编码器工作原理
- 4-28静态随机存取存储器（SRAM）
- 4-28标准单元库、嵌入式内存和GPIOs产品名词及应用介绍
公网安备44030402000607
