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在外壳温度固定在25°C的情况下可以处理138W最高连续功率

发布时间:2023/10/29 0:03:07 访问次数:136

额定电压为40V和60V的N-沟道MOSFET与额定电压为-30V的P-沟道MOSFET,可以用作各类线圈、电机和电池反向保护装置的开关。

新款产品所使用的全新8引脚HSON封装,其表面积为TO-252封装的一半。除了尺寸小以外,NP75N04YUG还能够保证实现1.09°C/W的沟道-外壳热阻

在外壳温度固定在25°C的情况下,它可以处理138W的最高连续功率。因此,可以说其性能与采用TO-252封装的产品一样高。而其小于原有产品约一半的尺寸,则有助于设计出更小的汽车控制单元。

宽带时延产品线HMC910LC4B,可支持直流至24GHz的宽频率范围,适用于复杂系统中的时间调节,例如时钟、数据恢复、边缘检测、不归零码-归零码转换、数据补偿、复用/解复用等应用。

NBVSBAxxx器件的设计符合2.5V和3.3V低压正射极耦合逻辑(LVPECL)时钟产生应用的要求,提供0.5皮秒(ps)低抖动的参考时钟。

在高数据传输率时仍能有高质量的眼图,在温度方面稳定性也极为突出,而且也只需要一个3.3V的直流电压供电。

Phyworks目前所提供的跨阻放大器是目前市场上性能最高的。比如我们的1.25G TIA和PIN管使用时能达到-32dBM的灵敏度。2.5G的TIA能达到-30dBM。

面向汽车电子控制单元的应用,采用了8引脚HSON封装,在实现封装尺寸小于原有TO-252产品约一半的同时,还可实现高达75A的电流。

新款功率MOSFET产品正是为了满足上述需求。它们采用全新开发、适于汽车电子系统的8引脚HSON封装,同时保持了与早期MOSFET产品相同的性能。

深圳市裕硕科技有限公司http://yushuollp.51dzw.com

额定电压为40V和60V的N-沟道MOSFET与额定电压为-30V的P-沟道MOSFET,可以用作各类线圈、电机和电池反向保护装置的开关。

新款产品所使用的全新8引脚HSON封装,其表面积为TO-252封装的一半。除了尺寸小以外,NP75N04YUG还能够保证实现1.09°C/W的沟道-外壳热阻

在外壳温度固定在25°C的情况下,它可以处理138W的最高连续功率。因此,可以说其性能与采用TO-252封装的产品一样高。而其小于原有产品约一半的尺寸,则有助于设计出更小的汽车控制单元。

宽带时延产品线HMC910LC4B,可支持直流至24GHz的宽频率范围,适用于复杂系统中的时间调节,例如时钟、数据恢复、边缘检测、不归零码-归零码转换、数据补偿、复用/解复用等应用。

NBVSBAxxx器件的设计符合2.5V和3.3V低压正射极耦合逻辑(LVPECL)时钟产生应用的要求,提供0.5皮秒(ps)低抖动的参考时钟。

在高数据传输率时仍能有高质量的眼图,在温度方面稳定性也极为突出,而且也只需要一个3.3V的直流电压供电。

Phyworks目前所提供的跨阻放大器是目前市场上性能最高的。比如我们的1.25G TIA和PIN管使用时能达到-32dBM的灵敏度。2.5G的TIA能达到-30dBM。

面向汽车电子控制单元的应用,采用了8引脚HSON封装,在实现封装尺寸小于原有TO-252产品约一半的同时,还可实现高达75A的电流。

新款功率MOSFET产品正是为了满足上述需求。它们采用全新开发、适于汽车电子系统的8引脚HSON封装,同时保持了与早期MOSFET产品相同的性能。

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