URM在SV左右使用中不应使发光二极管承受超过SV反向电压
发布时间:2023/10/25 23:11:58 访问次数:107
全桥整流堆通常简称为全桥，是一种整流二极管的组合器件，有长方形、圆形、扁形、方形等，并有多种电压、电流、功率规格.
全桥整流堆内部包含4只整流二极管，有4个引脚：两个交流输入端（用符号“～”标示）、一个直流正极输出端（用符号“+”标示）和一个直流负极输出端（用符号“一”标示）.
当交流电正半周时，电流i经VD，负载R、VD。形成回路，负载上电压UR为上正下负。当交流电负半周时，电流i经VD3、负载R、VD,形成回路，负载上电压UR仍为上正下负.
发光二极管的主要参数有最大工作电流和最大反向电压URM。
最大反向电压URM是指发光二极管在不被击穿的前提下，所能承受的最大反向电压。发光二极管的最大反向电压URM -般在SV左右，使用中不应使发光二极管承受超过SV的反向电压，否则发光二极管将可能被击穿。
发光二极管的特点是会发光。发光二极管与普通二极管…样具有单向导电性，当有足够的正向电流通过PN结时，便会发出不同颜色的可见光或红外光。
打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管。
MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管，拥有最低的单位面积通态电阻，在650V额定电压应用中可实现最高的能效和功率密度.
新记录突显并巩固了在超结型MOSFET市场的领导地位，MDmesh V体现了最新的经过市场检验的Multi-Drain Mesh技术，新产品的性能提升让客户能够降低应用设计能耗，同时强化了关于提供对环境负责的产品同时通过设计研发创新产品为客户提供卓越性能的承诺。
http://tx168.51dzw.com上海熠富电子科技有限公司
全桥整流堆通常简称为全桥，是一种整流二极管的组合器件，有长方形、圆形、扁形、方形等，并有多种电压、电流、功率规格.
全桥整流堆内部包含4只整流二极管，有4个引脚：两个交流输入端（用符号“～”标示）、一个直流正极输出端（用符号“+”标示）和一个直流负极输出端（用符号“一”标示）.
当交流电正半周时，电流i经VD，负载R、VD。形成回路，负载上电压UR为上正下负。当交流电负半周时，电流i经VD3、负载R、VD,形成回路，负载上电压UR仍为上正下负.
发光二极管的主要参数有最大工作电流和最大反向电压URM。
最大反向电压URM是指发光二极管在不被击穿的前提下，所能承受的最大反向电压。发光二极管的最大反向电压URM -般在SV左右，使用中不应使发光二极管承受超过SV的反向电压，否则发光二极管将可能被击穿。
发光二极管的特点是会发光。发光二极管与普通二极管…样具有单向导电性，当有足够的正向电流通过PN结时，便会发出不同颜色的可见光或红外光。
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MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管，拥有最低的单位面积通态电阻，在650V额定电压应用中可实现最高的能效和功率密度.
新记录突显并巩固了在超结型MOSFET市场的领导地位，MDmesh V体现了最新的经过市场检验的Multi-Drain Mesh技术，新产品的性能提升让客户能够降低应用设计能耗，同时强化了关于提供对环境负责的产品同时通过设计研发创新产品为客户提供卓越性能的承诺。
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