平面式高压MOSFET的结构显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。

平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低的RDS(on)值。但大单元密度和管芯尺寸还伴随高栅极和输出电荷，这会增加开关损耗和成本。另外还存在对于总硅片电阻能够达到多低的限制。

显示平面式MOSFET情况下构成RDS(on)的各个分量。对于低压MOSFET，三个分量是相似的。但随着额定电压增加，外延层需要更厚和更轻掺杂，以阻断高压。

高功率密度(高达61V/3A)的LED5000、LED6000 DC-DC LED驱动转换器(单片集成控制器+ MOSFET)，支持用MR16  LED光源替代卤钨灯,提供多种LED家用照明系统评测板。一次侧评测板。

主要开关管推荐MDmesh™K5功率MOSFET系列，我们发现800-900-950Vbr产品(ST*N80K5、ST*N90K5和ST*N95K5 pn)特别适合这种拓扑。

在这些产品中，专用离线LED驱动转换器，例如，HVLED805、HVLED807PF、HVLED815PF，具有高功率因数和一次侧恒流/恒压稳压(PSR-CC/CV)功能，因为电路二次侧无需稳压芯片和光耦，所以系统成本较低。

LED商用照明,商用和建筑照明系统通常需要20W以上的功率，以及高功率因数，高能效，节省成本，有时需要多条灯带，有远程监控功能。

在只有一条灯带时，通常使用反激式拓扑,新产品HVLED003D是一款离线反激式LED驱动控制器，一次侧恒流稳压(PSR-CC)模式，内置调光功能(0-10, PWM和可控硅)，可直接驱动单灯带，无需光耦和二次侧控制器。

MDmesh™K5系列适用于硬开关拓扑，具有低Rdson导通电阻、低Qg栅电荷和低电容的特点。

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