集成MOSFET boost转换器无需外部MOSFET因而可降低整体BOM成本
发布时间:2023/10/19 22:25:45 访问次数:84
使用指针万用表检测整流二极管时,表针一直不浙摆动,不能停止在某一阻值上,则多为整流二极管的热稳定性不好。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性制造的二极管,外加较低反向电压时呈截止状态,当反向电压加到一定值时,反向电流急剧增加,呈反向击穿状态。在此状态下,
稳压二极管两端为一固定值,该值为稳压二极管的稳压值。检测稳压工极管主要就是检测稳压性能和稳压值。
大电流运算放大器具有较快的摆率(40V/µs，典型值)和较高带宽(16MHz)，可理想用于驱动LCD背板。7路扫描驱动器的输出摆幅可达40V(最大值)，介于+35V(最大值)和-15V(最小值)之间，能够快速驱动LCD背板的栅极电容。
MAX17117采用5mmx5mm、32引脚TQFN封装，工作在-40°C至+85°C扩展级温度范围。使用直流电压挡检测,外接的负载电路与万用表内的负载电阻阻值相同,则所测结果应相同。
在要求苛刻的应用环境中，与其他数字隔离器产品相比Si84xx产品性能提高很多，可提供高达300V/m的电场和高达1000A/m的电磁场抗干扰能力。
最低的射频电磁辐射,Si84xx产品与其它数字隔离器相比最多可减少20dB的电磁幅射。
最佳的瞬变抗干扰能力,Si84xx提供高于25kV/us的共模瞬变抗干扰能力(CMTI)--比光耦合器的CMTI性能提高50% ~ 100%。
超低功耗,针对“绿色”应用进行优化，Si84xx隔离器在高数据传输率下提供超低功耗。
http://tx168.51dzw.com上海熠富电子科技有限公司
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稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性制造的二极管,外加较低反向电压时呈截止状态,当反向电压加到一定值时,反向电流急剧增加,呈反向击穿状态。在此状态下,
稳压二极管两端为一固定值,该值为稳压二极管的稳压值。检测稳压工极管主要就是检测稳压性能和稳压值。
大电流运算放大器具有较快的摆率(40V/µs，典型值)和较高带宽(16MHz)，可理想用于驱动LCD背板。7路扫描驱动器的输出摆幅可达40V(最大值)，介于+35V(最大值)和-15V(最小值)之间，能够快速驱动LCD背板的栅极电容。
MAX17117采用5mmx5mm、32引脚TQFN封装，工作在-40°C至+85°C扩展级温度范围。使用直流电压挡检测,外接的负载电路与万用表内的负载电阻阻值相同,则所测结果应相同。
在要求苛刻的应用环境中，与其他数字隔离器产品相比Si84xx产品性能提高很多，可提供高达300V/m的电场和高达1000A/m的电磁场抗干扰能力。
最低的射频电磁辐射,Si84xx产品与其它数字隔离器相比最多可减少20dB的电磁幅射。
最佳的瞬变抗干扰能力,Si84xx提供高于25kV/us的共模瞬变抗干扰能力(CMTI)--比光耦合器的CMTI性能提高50% ~ 100%。
超低功耗,针对“绿色”应用进行优化，Si84xx隔离器在高数据传输率下提供超低功耗。
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