内存技术和力成的封装技术在3D IC方案中整合逻辑电路和DRAM
发布时间:2023/10/16 21:44:45 访问次数:98
3D堆叠芯片使用了硅通孔(TSV)技术，汇聚了联电的制造技术、尔必达的内存技术和力成的封装技术，并在3D IC方案中整合了逻辑电路和DRAM。
3D-IC TSV方案用于下一代CMOS图像传感器、MEMS芯片、功率放大器和其他设备，而使用TSV技术整合逻辑电路和DRAM能够满足IT产业和消费电子产品发展所需要的更强性能、更高集成度。
给客户带来一套完整的解决方案，包括逻辑电路和DRAM界面设计、TSV构成、晶圆研磨薄化与测试、芯片堆叠封装。
我们新系列提供的能效等级超越市场上的集成稳压器竞争产品。因此，设计团队将能够以更小巧紧凑的集成方案，设计出更高性能基准的电源。
射频前端解决方案，支持高通(Qualcomm)最新发布的3G芯片组。该解决方案具有极低的耗电量、优异的性能以及业内小尺寸规格等特点，适用于满足包括数据卡、上网本、电子阅读器和下一代智能手机在内快速发展的移动设备市场需求。
CuFlip工艺具有卓越的射频性能与设计灵活性，同时加快制造和装配；TQBiHEMT工艺使两个砷化镓（GaAs）集成到一个单芯片，减少元件数并节省电路板空间。这些流程使得TriQuint公司使用单个芯片的模块来提供一个集成特性。
其采用的创新架构有助于提高能效，延长用户通话时间。TQM7M5013为未来集成/多模放大器奠定了基础。与最近发布的3G高通芯片组配合使用,高度通用的TQM7M5013已被配置于十几种平台。
http://srdz1.51dzw.com深圳市森锐电子商贸有限公司
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