增大或减小输出电流或快速在新设计中重复采用以加快产品开发
发布时间:2023/10/16 21:00:17 访问次数:56
两种16位Σ-△A/D通道和16位Σ-△D/A通道，可连接到手机、耳机、麦克风等外部设备；其嵌入的模拟和数字侧音、反偏滤波器、可编程输入输出增益控制等电路楞为麦克风提供前置放大和150Ω负载、硬件/软件控制的掉电模式等功能；
TLV320AIC24具有和TMS320C54xx完全兼容的电源电压；其可编程最高采样率达26ks/s（用片上IIR/FIR滤波器）和104ks/s（用IRR/FIR侧通）；在8ks/s的采样率下，它们的片上FIR可产生87dB的动态范围（对ADC）和92dB的动态范围（对DAC）；ADC和DAC滤波器符合G.711和G.722协议。
此外，TLV320AIC24还提供了一个灵活的主机接口（一个可以编程为标准工业I2C总线协议或S2C总线协议的2位串行口）。
同步脉宽调制(PWM)开关降压稳压器，集成了高端和低端MOSFET，分别能够提供2 A、3 A和4 A的连续输出电流。
这些新器件为集成开关提供极低导通阻抗(RDS(on))，达致高能效的系统方案。NCP3125集成了60毫欧(mΩ)的高端MOSFET和36 mΩ的低端MOSFET，提供高于90%的系统级能效。这三款新器件在+5伏(V)至+12 V的输入电源下，全都能够产生低至0.8 V的输出电压。
所有三款器件都引脚对引脚兼容，使设计人员能够在产品开发过程中灵活地增大或减小输出电流，或快速在新设计中重复采用，以加快产品开发。这些器件支持−40 °C至+125 °C的工作结温度。
HMC902LP3E和HMC903LP3E覆盖频率分别是5-10GHz，6-17GHz，其噪声系数低至1.7dB，增益高达19dB，OIP3有28dBm。
两者都采用SMT封装在一个3*3mm的芯片上，在器件内部实现了50欧姆匹配和交流耦合。
HMC902和HMC903是采用pHEMT GaAs技术的裸片MMIC，覆盖频率分别是5-10GHz和6-18GHz，噪声系数低至1.6dB，增益高达20dB，OIP3有28dBm。两者的面积均小于1.5mm2，在器件内部实现了50欧姆匹配和交流耦合，这使它们很容易被集成到MCMs和MICs。
http://srdz1.51dzw.com深圳市森锐电子商贸有限公司
两种16位Σ-△A/D通道和16位Σ-△D/A通道，可连接到手机、耳机、麦克风等外部设备；其嵌入的模拟和数字侧音、反偏滤波器、可编程输入输出增益控制等电路楞为麦克风提供前置放大和150Ω负载、硬件/软件控制的掉电模式等功能；
TLV320AIC24具有和TMS320C54xx完全兼容的电源电压；其可编程最高采样率达26ks/s（用片上IIR/FIR滤波器）和104ks/s（用IRR/FIR侧通）；在8ks/s的采样率下，它们的片上FIR可产生87dB的动态范围（对ADC）和92dB的动态范围（对DAC）；ADC和DAC滤波器符合G.711和G.722协议。
此外，TLV320AIC24还提供了一个灵活的主机接口（一个可以编程为标准工业I2C总线协议或S2C总线协议的2位串行口）。
同步脉宽调制(PWM)开关降压稳压器，集成了高端和低端MOSFET，分别能够提供2 A、3 A和4 A的连续输出电流。
这些新器件为集成开关提供极低导通阻抗(RDS(on))，达致高能效的系统方案。NCP3125集成了60毫欧(mΩ)的高端MOSFET和36 mΩ的低端MOSFET，提供高于90%的系统级能效。这三款新器件在+5伏(V)至+12 V的输入电源下，全都能够产生低至0.8 V的输出电压。
所有三款器件都引脚对引脚兼容，使设计人员能够在产品开发过程中灵活地增大或减小输出电流，或快速在新设计中重复采用，以加快产品开发。这些器件支持−40 °C至+125 °C的工作结温度。
HMC902LP3E和HMC903LP3E覆盖频率分别是5-10GHz，6-17GHz，其噪声系数低至1.7dB，增益高达19dB，OIP3有28dBm。
两者都采用SMT封装在一个3*3mm的芯片上，在器件内部实现了50欧姆匹配和交流耦合。
HMC902和HMC903是采用pHEMT GaAs技术的裸片MMIC，覆盖频率分别是5-10GHz和6-18GHz，噪声系数低至1.6dB，增益高达20dB，OIP3有28dBm。两者的面积均小于1.5mm2，在器件内部实现了50欧姆匹配和交流耦合，这使它们很容易被集成到MCMs和MICs。
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