低成本、中速数字Bi￡MOs工艺只需要向一个现有的N阱CMOs工艺额外增加一块用于形成轻掺杂的P型区域的掩膜版,该区域用做双极型晶体管的P型基极,CMOs的N阱做晶体管的集电极。 

三极管的发射极由CMOs工艺中NMOs的源漏注入完成,器件之间的隔离采用LOCOS隔离。

衬底可以为P型,也可以为/型衬底上的一个P型外延层。这种工艺被称为3次扩散(Trip⒗-DⅡ诋cd,3D)Bi￡MOs工艺,因为双极晶体管是通过3次扩散而成的。3D双极型晶体管最大的缺点是集电极串联电阻(Rc)大。

对于N阱的集电极而言,这个电阻值的大小一般为2kΩ。在强电流条件下,Rc值偏大可导致基极-集电极结的内部偏置减小,使得驱动电流变小,从而导致门延迟增大。

整个加速期间APU控制组件控制计量燃油,满足在安全工作极限内的最好的加速,即加速尽可能快而EGT不超出启动限制。

如果EGT超限,停止启动程序。大多数APU控制组件也监视启动程序期间的加速率,如果加速率太低,控制组件停止启动程序。因为在低速下工作时间长引起APU热应力高。

APU到达工作转速后,控制组件确保恒速和EGT不超限。APU控制组件使用转速信号和力矩马达信号控制恒速,通过改变力矩马达信号改变燃油计量实现。

负荷增大使APU转子转速下降,保持恒速就需要加油,结果是排气温度增高。进气温度信号用于防止超温,进气压力信号用于随空气密度改变最佳化燃油计量。

AMD新款G系列嵌入式处理器右下方标示“X”字样代表x86架构产品，透露AMD未来采用ARM架构的产品规划。

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