集成器件最高电压更改器件结构和工艺步骤以适合数模应用
发布时间:2023/10/11 22:53:45 访问次数:63
数模混合Bi-CMOS与数字Bi-CMOs工艺之间的基本区别在于,数模混合Bi-CMOs通常工作在一个较宽的工作电压(高于10V)范围。由于这些高电压超出了一些由5V兼容Bi-CMOs工艺中所集成的器件的最高电压,ESD11B5.0ST5G因此必须更改器件结构和工艺步骤以适合数模应用。
中压数模混合工艺需要对CMOs和双极器件的性能进行优化设计,以满足高电压的要求。
对CMOS的速度和性能进行折中,以满足在高电压下可靠地工作(例如,栅氧需要加厚以便能满足更高栅压的要求,但饱和电流将会模拟功能也需要无源器件,这些无源器件必须具有较小的温度和电压系数。
数模Bi￡MOs工艺根据其应用可再分为:
中压(10~30V)工艺,基于CMOS工艺流程;
大功率(大于30V且大于lA)工艺,基于功率模拟工艺流程。
多晶硅电阻因具有比扩散电阻更小的温度系数而在需要精确电阻的场合得到大量使用。
与此类似,由于空穴注入可以忽略,由电子一空穴结合引起的界面态产生已变得不重要。
正常工作期间,转速受很多因素影响,如引气负荷,电负荷,进气温度和进气压力。
另外,漏极附近热载流子的运动因碰撞电离而产生电子 空穴对。产生的多数空穴流向衬底,形成衬底电流,部分空穴随着漏极向栅极正向电场的形成而注入氧化层。这样电子和空穴这两种载流子都注入s⒑2,引起器件特性的很大变动,这时产生的是沟道热载流子注入效应。
由于超深亚微米器件工作电压太低,不能产生明显的电荷俘获,并且由于栅氧化层太薄,俘获电荷易发生泄漏,因此电荷俘获可以忽略。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
数模混合Bi-CMOS与数字Bi-CMOs工艺之间的基本区别在于,数模混合Bi-CMOs通常工作在一个较宽的工作电压(高于10V)范围。由于这些高电压超出了一些由5V兼容Bi-CMOs工艺中所集成的器件的最高电压,ESD11B5.0ST5G因此必须更改器件结构和工艺步骤以适合数模应用。
中压数模混合工艺需要对CMOs和双极器件的性能进行优化设计,以满足高电压的要求。
对CMOS的速度和性能进行折中,以满足在高电压下可靠地工作(例如,栅氧需要加厚以便能满足更高栅压的要求,但饱和电流将会模拟功能也需要无源器件,这些无源器件必须具有较小的温度和电压系数。
数模Bi￡MOs工艺根据其应用可再分为:
中压(10~30V)工艺,基于CMOS工艺流程;
大功率(大于30V且大于lA)工艺,基于功率模拟工艺流程。
多晶硅电阻因具有比扩散电阻更小的温度系数而在需要精确电阻的场合得到大量使用。
与此类似,由于空穴注入可以忽略,由电子一空穴结合引起的界面态产生已变得不重要。
正常工作期间,转速受很多因素影响,如引气负荷,电负荷,进气温度和进气压力。
另外,漏极附近热载流子的运动因碰撞电离而产生电子 空穴对。产生的多数空穴流向衬底,形成衬底电流,部分空穴随着漏极向栅极正向电场的形成而注入氧化层。这样电子和空穴这两种载流子都注入s⒑2,引起器件特性的很大变动,这时产生的是沟道热载流子注入效应。
由于超深亚微米器件工作电压太低,不能产生明显的电荷俘获,并且由于栅氧化层太薄,俘获电荷易发生泄漏,因此电荷俘获可以忽略。
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