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0.42V典型低正向压降SBR的功率损耗远低于传统肖特基二极管

发布时间:2023/9/21 23:29:04 访问次数:76

高热效率、超小型DFN封装的双器件组合技术,推出便携式充电设备的开关。

与传统便携式应用设计中常用的体积较大的3mmx3mm封装相比,DFN2020节省了55%的PCB空间;仅0.5mm的板外高度,也比传统封装薄了50%,符合下一代产品设计的要求。用于这些封装的MOSFET均具有低栅电荷,在1.8V VGS下的典型R DS(ON)为86mΩ,以确保开关及导通损耗最小。

为了进一步提升效率,应用于这些封装的二极管是Diodes自己的高性能超势垒整流器 (SBR)。凭借其仅有0.42V的典型低正向压降,SBR的功率损耗远低于传统肖特基二极管。

利用ISL8201M需要极少外部器件就能实现一个完整的电源解决方案,大大简化了电源的设计工作。

小尺寸的器件可节省相当多的电路板空间,同时高集成度降低了很多应用的采购和组装成本,例如远程通信、数据通信、电子数据处理、无线网络系统、医疗和仪器,以及基于分布式总线架构的负载点应用。此外,板上的输入滤波器支持超低噪声操作,从而减小了EMI。

ISL8201M可输出10A(峰值为17A)的电流,转换效率高达95%,在没有散热片或气流的条件下仍可以满足电源散热标准。

SmartPIM2、SmartPACK2、SmartPIM3和SmartPACK3等产品。整个系列覆盖不同封装尺寸、电流高达200A的IGBT模块。SmartPIM和SmartPACK最大适用于55kW功率的逆变器。

新型ASB1200系列凝胶保护大气压力传感器,新产品带校准过的模拟接口。其尺寸只有4x4x2.5mm3,在全世界同类传感器中最小。

新型ASB1200V1和ASB1200VR传感器的核心是压阻传感器芯片,该芯片通过混合技术与ASIC安装在一起。两种型号的产品都带信号处理电路。

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com

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与传统便携式应用设计中常用的体积较大的3mmx3mm封装相比,DFN2020节省了55%的PCB空间;仅0.5mm的板外高度,也比传统封装薄了50%,符合下一代产品设计的要求。用于这些封装的MOSFET均具有低栅电荷,在1.8V VGS下的典型R DS(ON)为86mΩ,以确保开关及导通损耗最小。

为了进一步提升效率,应用于这些封装的二极管是Diodes自己的高性能超势垒整流器 (SBR)。凭借其仅有0.42V的典型低正向压降,SBR的功率损耗远低于传统肖特基二极管。

利用ISL8201M需要极少外部器件就能实现一个完整的电源解决方案,大大简化了电源的设计工作。

小尺寸的器件可节省相当多的电路板空间,同时高集成度降低了很多应用的采购和组装成本,例如远程通信、数据通信、电子数据处理、无线网络系统、医疗和仪器,以及基于分布式总线架构的负载点应用。此外,板上的输入滤波器支持超低噪声操作,从而减小了EMI。

ISL8201M可输出10A(峰值为17A)的电流,转换效率高达95%,在没有散热片或气流的条件下仍可以满足电源散热标准。

SmartPIM2、SmartPACK2、SmartPIM3和SmartPACK3等产品。整个系列覆盖不同封装尺寸、电流高达200A的IGBT模块。SmartPIM和SmartPACK最大适用于55kW功率的逆变器。

新型ASB1200系列凝胶保护大气压力传感器,新产品带校准过的模拟接口。其尺寸只有4x4x2.5mm3,在全世界同类传感器中最小。

新型ASB1200V1和ASB1200VR传感器的核心是压阻传感器芯片,该芯片通过混合技术与ASIC安装在一起。两种型号的产品都带信号处理电路。

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