高速缓存与存储器性能为其存储更多数据或应用特性提供更高存储容量
发布时间:2023/9/14 8:42:40 访问次数:68
HEXFET®功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻(RDS(on)) ，适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动，以及电信设备等应用。
新款SOT-23 MOSFET器件采用IR最新的中压硅技术，通过大幅降低90% RDS(on)显著改善了电流处理能力，为客户的特定应用优化了性能及价格。
新器件达到第一级潮湿敏感度(MSL1)业界标准，所采用的材料不含铅，并符合电子产品有害物质管制规定(RoHS) 。
这可卸下DSP内核的计算密集型正向纠错(FEC)任务，使其能够处理其它功能与任务，从而可降低总体系统成本；
2MB片上L2存储器(高速缓存高达1MB)，更快速的32位DDR2 EMIF（667MHz）与存储器、高速缓存以及总线架构的提升实现了性能提升，这不但可为客户的设计方案提供更优异的高速缓存与存储器性能，同时还可为其存储更多数据或应用特性提供更高的存储容量.
F-RAM内存的读写速度比EEPROM快一百倍。其次，F-RAM的读写电压比EEPROM低，对微弱RF读/写磁场的灵敏度更高，因此写入距离更长。
每周的产业新闻中都会出现采用RF技术的新的应用报道，例如被动、半被动、主动的电子卷标芯片。在这些新应用中，有些要求或希望在标识其资产的 RFID芯片上可储存更多的信息。
到目前为止，仅有少数厂商可以提供有较大内存容量卷标的产品，大多数厂商只能提供容量仅比传统纯EPC标签多数百个存储位的产品。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
HEXFET®功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻(RDS(on)) ，适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动，以及电信设备等应用。
新款SOT-23 MOSFET器件采用IR最新的中压硅技术，通过大幅降低90% RDS(on)显著改善了电流处理能力，为客户的特定应用优化了性能及价格。
新器件达到第一级潮湿敏感度(MSL1)业界标准，所采用的材料不含铅，并符合电子产品有害物质管制规定(RoHS) 。
这可卸下DSP内核的计算密集型正向纠错(FEC)任务，使其能够处理其它功能与任务，从而可降低总体系统成本；
2MB片上L2存储器(高速缓存高达1MB)，更快速的32位DDR2 EMIF（667MHz）与存储器、高速缓存以及总线架构的提升实现了性能提升，这不但可为客户的设计方案提供更优异的高速缓存与存储器性能，同时还可为其存储更多数据或应用特性提供更高的存储容量.
F-RAM内存的读写速度比EEPROM快一百倍。其次，F-RAM的读写电压比EEPROM低，对微弱RF读/写磁场的灵敏度更高，因此写入距离更长。
每周的产业新闻中都会出现采用RF技术的新的应用报道，例如被动、半被动、主动的电子卷标芯片。在这些新应用中，有些要求或希望在标识其资产的 RFID芯片上可储存更多的信息。
到目前为止，仅有少数厂商可以提供有较大内存容量卷标的产品，大多数厂商只能提供容量仅比传统纯EPC标签多数百个存储位的产品。
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