闪存MONOS技术为可扩充的技术，不仅可靠性高且具备高效能。40nm闪存测试组件的评估结果，已证明其在三个重要的参数（数据保存、程序/擦写周期耐受性及程序设计时间）方面，均能成功做到优异的特性表现。40nm制程节点可整合多种与安全相关的功能性与通讯接口。

适用于汽车实时应用领域的40nm工艺嵌入式闪存技术。是首先使用上述40nm工艺闪存技术，针对汽车应用领域推出40nm嵌入式闪存微控制器(MCU)的厂商。

40nm闪存IP保证数据可保存20年，并可在最高170℃结合温度下进行读取。

它完全自主工作，包括所有嵌入式补偿，通电后500ms就能从SPI接口获得有效数据。

UCC27524的主要技术特性：

5A峰值源极与汲极驱动器电流。支持4.5V至18V宽泛输入。2组输出可并行，支持更大电流的驱动器；

极快的速度,12ns典型传播延迟，6ns典型上升时间，两个通道间仅1ns的典型输出延迟匹配；

外形小巧采用业界标准8引脚SOIC及PDIP封装。

8引脚或10引脚、4毫米x4毫米8引脚SON与8引脚SOIC封装的UCC27210与UCC27211。UCC27524 采用业界标准8引脚SOIC及PDIP封装。此外，将提供3毫米x3毫米8引脚WSON封装器件。

28nm Kintex-7 FPGA的开发技术，将成为显示技术革新的前沿技术，有望让消费者在不久的将来即可享受到令人震撼的视觉享受。

硬件、IP内核和目标参考设计组合能帮助采用1080i系统（高清）或1080P （全高清）显示设计的制造商加快系统的实验室开发进程，以便在4K2K内容广泛应用前，尽可能少地在工程方面进行投资，做好迎接全新显示器的准备。

事实上，4K2K向上变频器参考设计已经使得在4K2K系统上播放1080i或1080P内容变为可能。

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