当CS引脚达到VCS(MIN)时，外部MOSFET被开启，如此反复。由于这一控制方案不需要回路补偿，因此非常容易进行设计，也可以避免安装过程中出现问题。

在其它MCU应用领域，用户往往选择从一个8位升级到一个32位环境。

在低功耗的情况下,人们一直假定32位内核在其掉电模式状态时使用电流一定是高得令人无法接受的。

随着全套低功耗设计技术的出现，今天的IC设计师们已经可能让一个32位ARM内核提供不同的模式了，与其8位的竞争对手一样好，甚至更好，而且还能实现快速唤醒时间。

伴随电池寿命的是数量有限的电荷，设计者必须在MCU运行的所有阶段减少产品的电流和时间，不仅要减少每微安的数量，也要减少每个动作的每个微秒。

为了减少深度睡眠模式下消耗的电流，在能源敏感应用的MCU中采用8位（或16位）内核已很普遍。

8位内核—即使在最新版本中也常常采用这样的设计 - -很小，门控相对较少，静电或泄露电流低。但是，许多现在的应用都需要比8位内核更大的处理功率。

典型的供应商 - 例如，柯达-评定230mAh到2V的终点电压能力为5.6k(约有0.5mA). 如果是那样的话，电池寿命将为400小时，相比之下，能源敏感的应用能使使用寿命达到20万小时。

这种特殊的电池具有很好的货架寿命或自放电率，数据表显示10年之后其容量达90％。非常相似的是，这相当于连续充电约0.25A, 如果能够达到10-20年的电池寿命, 应用的一般要求就会满足。

32位处理器更高的处理性能也使MCU可以更快完成任务，从而能够在这些模式中花更多时间来进一步降低平均功耗。