多路输出电源IC MAX17122高效率固定频率工作方式采用小尺寸电感和电容
发布时间:2023/9/9 23:34:52 访问次数:117
OptiMOS 25V器件系列，壮大OptiMOS™ 功率 MOSFET产品阵容。该系列器件经过优化，适合应用于计算机服务器电源的电压调节电路和电信/数据通信的开关。这种全新的MOSFET还被集成进满足英特尔DrMOS规范的TDA21220 DrMOS。
通过大幅降低三个关键的能效优值（FOM），这种全新的器件无论在任何负载条件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同时达到更高的性能。此外，更高的功率密度还能让典型电源的降压转换器的占板空间缩小40%以上。
MAX17122工作于8V至16.5V输入电压，针对直接采用12V稳压电源供电的应用进行了优化。
MAX17122包含一路22V内部开关降压调节器，用于为数字逻辑电路供电；一路16.5V内部开关升压调节器，用于为TFT源极驱动器供电；以及一路带温度补偿的36V内部开关升降压调节器，用于产生一路随温度变化的负电源，温度检测通过外部NTC热敏电阻进行。
四款独具特色的凌动™处理器和两款全新的系统控制器(SCH)，进一步丰富了嵌入式业务部门的产品线。这些产品在2D和3D图形、视频加速和对包括多个版本的Windows*和Linux*在内的多种操作系统的支持方面得到了改进，因而能够引领市场创新风潮。
GATE输出直接驱动一个外部p沟道MOSFET，为升压输出提供真关断(True Shutdown™)功能。MAX17122提供6mmx6mm、40引脚TQFN封装，工作于-40°C至+85°C温度范围。在一个六相稳压器设计中，采用一个5V栅极驱动的全新25V OptiMOS器件，在输出电流为30A至180A条件下，能效可超过90%，最高可达93%。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
OptiMOS 25V器件系列，壮大OptiMOS™ 功率 MOSFET产品阵容。该系列器件经过优化，适合应用于计算机服务器电源的电压调节电路和电信/数据通信的开关。这种全新的MOSFET还被集成进满足英特尔DrMOS规范的TDA21220 DrMOS。
通过大幅降低三个关键的能效优值（FOM），这种全新的器件无论在任何负载条件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同时达到更高的性能。此外，更高的功率密度还能让典型电源的降压转换器的占板空间缩小40%以上。
MAX17122工作于8V至16.5V输入电压，针对直接采用12V稳压电源供电的应用进行了优化。
MAX17122包含一路22V内部开关降压调节器，用于为数字逻辑电路供电；一路16.5V内部开关升压调节器，用于为TFT源极驱动器供电；以及一路带温度补偿的36V内部开关升降压调节器，用于产生一路随温度变化的负电源，温度检测通过外部NTC热敏电阻进行。
四款独具特色的凌动™处理器和两款全新的系统控制器(SCH)，进一步丰富了嵌入式业务部门的产品线。这些产品在2D和3D图形、视频加速和对包括多个版本的Windows*和Linux*在内的多种操作系统的支持方面得到了改进，因而能够引领市场创新风潮。
GATE输出直接驱动一个外部p沟道MOSFET，为升压输出提供真关断(True Shutdown™)功能。MAX17122提供6mmx6mm、40引脚TQFN封装，工作于-40°C至+85°C温度范围。在一个六相稳压器设计中，采用一个5V栅极驱动的全新25V OptiMOS器件，在输出电流为30A至180A条件下，能效可超过90%，最高可达93%。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
相关技术资料- 4-30高通舱驾融合控制器SA8775P SoC
- 4-30Oryon CPU、Adreno GPU核心模块技术
- 4-30骁龙Snapdragon Ride平台应用探究
- 4-30LED驱动器、隔离驱动器市场应用前景
- 4-30MemryX MX3 AI 芯片应用简介
- 4-30信号链和电源管理芯片市场应用详解
- 4-293kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块应用概述
- 4-29工业用GaN晶体管产品系列CoolGaN G5研究
- 4-29全球首款集成SBD（肖特基二极管）详解
- 4-29NVIDIA DRIVE Thor SoC芯片数据参数设计
- 4-29Orin-X芯片L4级全场景解决方案
- 4-29全球首发新一代Robotaxi探究
公网安备44030402000607
