单芯片器件可延长电池寿命降低物料清单成本并增强系统可靠性
发布时间:2023/9/9 15:59:10 访问次数:164
Ultrabook™设备和笔记本等应用的设计人员面临降低电源设计中电感高度的挑战，以满足更薄的低侧高终端系统要求。
第二代XS™ DrMOS系列FDMF6708N，这是经全面优化的紧凑型集成MOSFET解决方案加驱动器功率级解决方案，用于大电流、高频率同步降压DC-DC应用。
FDMF6708N集成了一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管，采用热性能增强型6x6mm2 PQFN Intel®DrMOS v4.0标准封装。
通过将一个高效的32位处理器内核嵌入到一片PMIC之中，我们推进了系统电源设计的界限，并为全世界的智能手机的设计带来了精准的数字控制。
Dialog的PMIC使得制造商能够快速而容易地将带有优化电源的智能手机和平板电脑推向市场。高度集成和可配置的单芯片器件可延长电池寿命、降低物料清单成本并增强系统的可靠性。
ARM Cortex-M0处理器是可用的、面积最小且功耗最低的ARM内核。其超常的低功耗及较小的芯片面积和内存占用使它成为了超低功耗MCU和混合信号应用的理想选择。
FDMF6708N可让设计人员节省50%的占位面积，同时提供高开关频率和高功率密度。该器件的过零检测(ZCD)功能改善了轻负载效率，延长了电池寿命。
与传统分立解决方案不同，FDMF6708N使用最新的控制FET和SyncFET™技术以及具有更低源极电感的clip-bond封装，在满负载下提供高效率。
而传统分立解决方案需要更大的PCB空间、更长的布局走线、更厚的电感，以及更多的元件，因而在使用较薄磁性元件所需的较高频率下散热性能不良。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
Ultrabook™设备和笔记本等应用的设计人员面临降低电源设计中电感高度的挑战，以满足更薄的低侧高终端系统要求。
第二代XS™ DrMOS系列FDMF6708N，这是经全面优化的紧凑型集成MOSFET解决方案加驱动器功率级解决方案，用于大电流、高频率同步降压DC-DC应用。
FDMF6708N集成了一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管，采用热性能增强型6x6mm2 PQFN Intel®DrMOS v4.0标准封装。
通过将一个高效的32位处理器内核嵌入到一片PMIC之中，我们推进了系统电源设计的界限，并为全世界的智能手机的设计带来了精准的数字控制。
Dialog的PMIC使得制造商能够快速而容易地将带有优化电源的智能手机和平板电脑推向市场。高度集成和可配置的单芯片器件可延长电池寿命、降低物料清单成本并增强系统的可靠性。
ARM Cortex-M0处理器是可用的、面积最小且功耗最低的ARM内核。其超常的低功耗及较小的芯片面积和内存占用使它成为了超低功耗MCU和混合信号应用的理想选择。
FDMF6708N可让设计人员节省50%的占位面积，同时提供高开关频率和高功率密度。该器件的过零检测(ZCD)功能改善了轻负载效率，延长了电池寿命。
与传统分立解决方案不同，FDMF6708N使用最新的控制FET和SyncFET™技术以及具有更低源极电感的clip-bond封装，在满负载下提供高效率。
而传统分立解决方案需要更大的PCB空间、更长的布局走线、更厚的电感，以及更多的元件，因而在使用较薄磁性元件所需的较高频率下散热性能不良。
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