IGZO整体性能介于LTPS和a-Si之间,电子迁移率虽不及LTPS,但5～10cm2/Vs也足以驱动以电流驱动为主的AMOLED器件;7～8道的光罩也介于两者之间，简化制程提高良率的同时,也不至于降低太多性能。

最重要的是，其与传统a-Si之间的设备转换，一般来说改造原有a-Si产线，LTPS需要添加靶材设备，而IGZO需要改进锡成膜设备，两者追加投资金额在30～50%左右.

LTPS略高，但这仅仅是低世代线的改造，如果换到高世代线，情况则将大大不同，IGZO仍可维持30～50%的追加投入， 而LTPS的投入价格则无法估量，因为现阶段还难以有稳定可靠的高世代LTPS设备，这使IGZO在大尺寸领域比LTPS拥有先天优势。

每个内含4颗相位阵列IC的砖式封装元件，整合了32个接收与16个传送单元，具备支援16支双极化天线的双输出功能，并具备多操作模式，包括同步接收水平与垂直的极化。

在毫米波晶片(millimeter-wave IC)技术开发上达到新里程碑，可望突破行动通讯的数据瓶颈，同时让能雷达影像设备缩小到与笔记型电脑差不多的尺寸;

毫米波频宽能支援Gbps等级的无线通讯，扩展行动骨干网路、小型蜂巢式基础建设以及资料中心覆盖网路布建商机。

新产品具有突破性的性能水平，扩展了ADI公司1000多种高性能射频IC产品组合，涵盖从天线到比特和从比特到天线的整个信号链。

高性能宽带功率检测技术ADL6010微波功率检测器,在整个温度范围内提供前所未有线性度和稳定性。

与其他基于常用非线性和非温度稳定性的肖特基二极管的替代元件不同，ADL6010采用一个简单的专有线性化系统，可消除由源负载产生的失真，在采用低比率耦合器提取主要信号样本的应用中，这是一个重要的优势。