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HVArc Guard电容器设计防止闪络同时使用更小尺寸镇流器外壳

发布时间:2023/9/6 0:34:09 访问次数:57

在高压照明镇流器中使用的MLCC还是采用1210、1808和1812这样大尺寸的外壳。

新型HVArc Guard高压MLCC电容器可以取代在镇流器电路中的这些标准高压电容器,让工程师设计出更紧凑的电路,并降低器件成本。

Vishay的新型HVArc Guard电容器现包括100pF、47pF、22pF、1nF。

与标准高压电容器相比,HVArc Guard电容器提供了更好的击穿电压性能。由于HVArc Guard电容器防止了表面闪络,它们在空气中的击穿电压比传统的标准高压电容器高两倍。

在高压多层陶瓷电容器(MLCC)技术上的一系列突破,Vishsy制造出了一种新的表面贴装MLCC,比以往任何类型的电容器都更适合镇流器应用。


这些新的HVArc Guard电容器采用NP0和X7R电介质,电压等级从直流250V到直流1000V。

用于镇流器电路中的MLCC可以在空气中承受超过1000VDC的高电压。电容器容易产生表面闪络和内部击穿。由表面闪络引起的电路不稳定会引发故障,进而损坏周围的器件,即便此时电容器还能暂时保持正常的功能。HVArc Guard电容器的独特设计可以防止闪络,同时可以使用更小尺寸的镇流器外壳。

这些新型iCoupler四通道隔离器优于诸如带外部DC/DC转换器的光耦等分立解决方案,因为新型iCoupler隔离器可同时将成本和电路板空间减少高达50%,并且能缩短上市时间。


POWR605所有器件的设置存储在芯片上的非易失性EEPROM,该EEPROM可通过JTAG接口进行编程。通过Lattice公司免费的PAC-Designer软件可修改其设计。

MAX15054是高边N沟MOSFET驱动器,由CMOS逻辑电平控制,从输入到输出的传输延迟为12ns,输入电压高达60V,峰值源和吸电流为2A,主要用于单串和多串HB LED驱动器,DC/DC转换器的高边驱动器和LED背光驱动器.

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com

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Vishay的新型HVArc Guard电容器现包括100pF、47pF、22pF、1nF。

与标准高压电容器相比,HVArc Guard电容器提供了更好的击穿电压性能。由于HVArc Guard电容器防止了表面闪络,它们在空气中的击穿电压比传统的标准高压电容器高两倍。

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这些新的HVArc Guard电容器采用NP0和X7R电介质,电压等级从直流250V到直流1000V。

用于镇流器电路中的MLCC可以在空气中承受超过1000VDC的高电压。电容器容易产生表面闪络和内部击穿。由表面闪络引起的电路不稳定会引发故障,进而损坏周围的器件,即便此时电容器还能暂时保持正常的功能。HVArc Guard电容器的独特设计可以防止闪络,同时可以使用更小尺寸的镇流器外壳。

这些新型iCoupler四通道隔离器优于诸如带外部DC/DC转换器的光耦等分立解决方案,因为新型iCoupler隔离器可同时将成本和电路板空间减少高达50%,并且能缩短上市时间。


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MAX15054是高边N沟MOSFET驱动器,由CMOS逻辑电平控制,从输入到输出的传输延迟为12ns,输入电压高达60V,峰值源和吸电流为2A,主要用于单串和多串HB LED驱动器,DC/DC转换器的高边驱动器和LED背光驱动器.

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