IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF25V芯片组不但采用了IR最新一代MOSFET硅技术,还具有业界领先的性能指数(FOM)及DirectFET封装卓越的开关和热特性,成为一个为高频率DC-DC开关应用而优化的解决方案，IR通过改善关键参数不断提升功率MOSFET的性能。

新款IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET芯片组把低电荷及低导通电阻(RDS(on))与业界最低的栅极电阻(Rg)相结合，使传统上由典型同步降压转换器的同步和控制接口产生的传导损耗和开关损耗降到了最低。

1212外形尺寸的新款IHLP小尺寸、高电流电感器：IHLP-1212BZ-11。IHLP-1212BZ-11是迄今为止Vishay最小的IHLP器件，具有3.0×3.6mm的占位、2.0mm的超小尺寸以及0.22μH至1.5μH的标准感值，其最高频率可达1.0MHz。

新电感可处理高瞬态电流剑锋，而不会出现硬饱和。电感采用符合RoHS指令、100%无铅的屏蔽复合结构，可将蜂鸣噪声减至很低的水平。新器件的工作温度为-55℃~+125℃，可耐受热冲击、潮湿、机械冲击和振动。

IHLP-1212BZ-11具有0.22μH~1.5μH的感值范围，饱和电流范围为4.0A~7.5A，典型DCR为9.5mΩ~27.0mΩ，最大DCR为11.4mΩ~32.0mΩ。

凭借高达1.0MHz的频率范围，新的IHLP-1212BZ-11可用做下一代移动设备、笔记本电脑、桌面电脑、图形卡、便携式游戏机、个人导航系统、个人多媒体设备和汽车系统；低外形、高电流电源和负载点转换器(POL)；分布式电源系统；现场可编程门阵列(FPGA)等终端产品中电压调节模块(VRM)以及DC/DC转换器应用的高性能、节省空间和能耗解决方案。