固态存储驱动器每GB的价格不到50美分未来价格还将降得更低
发布时间:2023/8/28 18:37:35 访问次数:60
RS MLCC系列体型小巧，规格为常用的0603(1.6x0.8x0.8mm)，而电容范围广泛，从1000pF到10,000pF(1到10nF)应有尽有，包括1000、2200、4700、6800和10000pF，可供选择的额定电压为16、50或100V。
本系列器件还有0402(1x0.5x0.5mm)规格，额定电压为16和50V。
本系列多数器件均采用EIA 2类温度稳定型X7R电介质，工作温度范围−55到+125°C，电容公差+/–15%，非常适合去耦应用。该系列还有其他一些可选器件采用EIA 1类温度补偿型C0G(NP0)材料。
东芝新一代闪存“改良了外围电路技术”，接口速率达到了533MBPs，相比旧版的19nm工艺提升了1.3倍。NAND的写入速度并没有发生变化。
闪存制造工艺进步除了意味着用户能够获得更好的存储性能，同时也意味着SSD固态存储设备价格的下降。过去几年中SSD的降价幅度还是颇大的，目前最便宜的固态存储驱动器每GB的价格不到50美分，未来价格还将降得更低。
HT68FB240规格包含有4Kx16 ROM、160 Byte RAM、Low Speed USB、3个USB Endpoints、最多34根双向I/O、2组Timer模块与3组PWM输出、1组SPI、1组I2C Slave以及内建Regulator 3.3V输出。
HT68FB240适用于鼠标、键盘、Gamepad、电视游戏外围、USB下载型遥控器、USB Key网络安全、有线或无线的计算机外设与消费性产品等。HT68FB240特别考虑到碳膜键盘的应用需求，研发出无需额外增加被动组件便可轻易克服碳膜高电阻值应用问题。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
RS MLCC系列体型小巧，规格为常用的0603(1.6x0.8x0.8mm)，而电容范围广泛，从1000pF到10,000pF(1到10nF)应有尽有，包括1000、2200、4700、6800和10000pF，可供选择的额定电压为16、50或100V。
本系列器件还有0402(1x0.5x0.5mm)规格，额定电压为16和50V。
本系列多数器件均采用EIA 2类温度稳定型X7R电介质，工作温度范围−55到+125°C，电容公差+/–15%，非常适合去耦应用。该系列还有其他一些可选器件采用EIA 1类温度补偿型C0G(NP0)材料。
东芝新一代闪存“改良了外围电路技术”，接口速率达到了533MBPs，相比旧版的19nm工艺提升了1.3倍。NAND的写入速度并没有发生变化。
闪存制造工艺进步除了意味着用户能够获得更好的存储性能，同时也意味着SSD固态存储设备价格的下降。过去几年中SSD的降价幅度还是颇大的，目前最便宜的固态存储驱动器每GB的价格不到50美分，未来价格还将降得更低。
HT68FB240规格包含有4Kx16 ROM、160 Byte RAM、Low Speed USB、3个USB Endpoints、最多34根双向I/O、2组Timer模块与3组PWM输出、1组SPI、1组I2C Slave以及内建Regulator 3.3V输出。
HT68FB240适用于鼠标、键盘、Gamepad、电视游戏外围、USB下载型遥控器、USB Key网络安全、有线或无线的计算机外设与消费性产品等。HT68FB240特别考虑到碳膜键盘的应用需求，研发出无需额外增加被动组件便可轻易克服碳膜高电阻值应用问题。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
相关技术资料- 4-30高通舱驾融合控制器SA8775P SoC
- 4-30Oryon CPU、Adreno GPU核心模块技术
- 4-30骁龙Snapdragon Ride平台应用探究
- 4-30LED驱动器、隔离驱动器市场应用前景
- 4-30MemryX MX3 AI 芯片应用简介
- 4-30信号链和电源管理芯片市场应用详解
- 4-293kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块应用概述
- 4-29工业用GaN晶体管产品系列CoolGaN G5研究
- 4-29全球首款集成SBD（肖特基二极管）详解
- 4-29NVIDIA DRIVE Thor SoC芯片数据参数设计
- 4-29Orin-X芯片L4级全场景解决方案
- 4-29全球首发新一代Robotaxi探究
公网安备44030402000607
