可扩展SoC方案使开发出满足新的低功耗设备需求嵌入式图形子系统
发布时间:2023/8/26 23:48:30 访问次数:81
SD和Micro SD存储卡对成本敏感的应用仍然需要高可靠性。
固件转换层结构（FTL），它是在SD卡上基于子页面的固件世界上第一个实现，使S-45和S-45U提供通常不并存的几个关键特性SD/Micro SD卡。
这些措施包括成本竞争力，由于MLC闪存，通过降低WAF（写入放大系数）的延长续航能力，增加滞留时间，并消除读通过自主数据扰乱刷新和后台扫描，适用于小数据量的操作和功耗较高的持续随机写入性能通过使用事务日志故障安全性。
基于FTL子页面的因素降低了内部管理单元的大小并加快小部门写的处理。
SEU重离子估计为10-3错误/设备/天的低地球轨道的应用程序。随着数十亿的商业AVR器件广泛部署在世界各地，新的空间级AVR系列得益于支持爱特梅尔Studio的生态系统。
随着新的FTL架构中，S-45提供的数据速率为小扇区随机写上平均50至100倍，比市场上现有的可比卡，其可以显著加速的嵌入式应用的操作更高。
S-45（SD）和S-45U（微型SD）存储卡配有智能读取干扰管理（RDM）旁边的自治，以绩效为中性背景“自动刷新”的过程。
ARM Mali-470 GPU提供动力受限的产品，包括智能手表，家庭网关和家电，工业控制面板和医疗监视器增强的用户界面。
基础上的Mali-400的成功，它的力量超过十亿的设备，马里-470提供相同的性能，同时减少一半的功耗相同的工艺尺寸。这将提供ARM的芯片合作伙伴提供可扩展的SoC方案，使他们能够开发出满足新的低功耗设备的需求嵌入式图形子系统。
用户界面和跨移动和物联网平台的显示器也越来越互动和身临其境，但芯片设计团队面临着缩水的功率和空间相关的挑战。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
SD和Micro SD存储卡对成本敏感的应用仍然需要高可靠性。
固件转换层结构（FTL），它是在SD卡上基于子页面的固件世界上第一个实现，使S-45和S-45U提供通常不并存的几个关键特性SD/Micro SD卡。
这些措施包括成本竞争力，由于MLC闪存，通过降低WAF（写入放大系数）的延长续航能力，增加滞留时间，并消除读通过自主数据扰乱刷新和后台扫描，适用于小数据量的操作和功耗较高的持续随机写入性能通过使用事务日志故障安全性。
基于FTL子页面的因素降低了内部管理单元的大小并加快小部门写的处理。
SEU重离子估计为10-3错误/设备/天的低地球轨道的应用程序。随着数十亿的商业AVR器件广泛部署在世界各地，新的空间级AVR系列得益于支持爱特梅尔Studio的生态系统。
随着新的FTL架构中，S-45提供的数据速率为小扇区随机写上平均50至100倍，比市场上现有的可比卡，其可以显著加速的嵌入式应用的操作更高。
S-45（SD）和S-45U（微型SD）存储卡配有智能读取干扰管理（RDM）旁边的自治，以绩效为中性背景“自动刷新”的过程。
ARM Mali-470 GPU提供动力受限的产品，包括智能手表，家庭网关和家电，工业控制面板和医疗监视器增强的用户界面。
基础上的Mali-400的成功，它的力量超过十亿的设备，马里-470提供相同的性能，同时减少一半的功耗相同的工艺尺寸。这将提供ARM的芯片合作伙伴提供可扩展的SoC方案，使他们能够开发出满足新的低功耗设备的需求嵌入式图形子系统。
用户界面和跨移动和物联网平台的显示器也越来越互动和身临其境，但芯片设计团队面临着缩水的功率和空间相关的挑战。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
相关技术资料- 6-13在充电过程中保持输出电压稳定避免因电压波动而对电池造成损害
- 6-13传感器固有精度使角度误差小于1°通过使用进一步减小角度误差
- 6-1310x14x2.5毫米LGA SiP封装满足越来越多应用对高功率密度不断需求
- 6-13差分电压采样宽margining范围和0.5%参考在一起实现1%输出电压精度
- 6-13高电压浪涌输入工作而设计免除了增设外部浪涌抑制器件的需要
- 6-12电池正面阴影该模块实现电池总面积最大化带来快速投资回报
- 6-1255°C或70°C时降额解决方案不同使用这些产品时不需要额外增加功率
- 6-12一个LTKAK2-L代替四个或八个15KPA或30KPA轴向引线瞬态抑制二极管
- 6-12机器学习推理实现预测性维护警告监测湿度和pH值等土壤状况关键条件
- 6-12延长开关上升沿和下降沿的升降时间使上升沿和下降沿匀称均等
- 6-12功率MOSFET相关电路拓扑应对措施以可控方式调节工作频率
- 6-12电流吸收导致电压水平降至“红色阈值”以下电压无法维持负载电路运转
公网安备44030402000607
