输出端不允许直接接地或直接接+5V电源,否则将损坏器件,有时为了使后级电路获得较高的输出电平,允许输出端通过电阻R接至Vc・c,一般取电阻R=3~5.1kΩ。

CMOS电路有很高的输人阻抗,给使用者带来一定的麻烦,即外来的干扰信号很容易在一些悬空的输人端上感应出很高的电压,导致器件损坏。

瓷介电容器以陶瓷作为介质,在两面喷涂银气层,烧成银质薄膜做导体,引线后外表涂漆制成。其特点是绝缘性能好、体积小、耐高温、耐高压,适宜用于高频电路。

金属膜电阻器的外形及结构与碳膜电阻器相似,不同的是金属膜电阻器是在陶瓷骨架表面,R05107ANP经真空高温或烧渗工艺蒸发沉积一层金属膜或合金膜而成的。

金属膜电阻器的性能比碳膜电阻器好,主要体现在耐热性能高(能在125℃下长期工作)、工作频率范围宽、精度高、稳定性好、噪声低、体积小、高频特性好等方面,广泛应用在精密仪器仪表等电子产品中。在同样的功率条件下,其体积只有碳膜电阻器的1/2左右。

线绕电阻器是将高阻值康铜电阻丝或镍铬合金丝绕在瓷管上,外层涂以珐琅或玻璃釉加以保护而成的。

光敏电阻器是一种电导率随吸收的光量子多少而变化的敏感电阻器。它是利用半导体的光电效应特性而制成的,在无光照射时呈高阻状态,当有光照射时其电阻值迅速减小。

热敏电阻器是用一种对温度极为敏感半导体材料制成的,其阻值随温度变化非线性元件。

电阻值随温度升高而变小的称为负温度系数热敏电阻器;电阻值随温度升高而增大的称为正温度系数热敏电阻器。

标称阻值是指电阻器上面所标示的阻值。不同精度等级的电阻器,其阻值系列不同。标称阻值是按国家规定的电阻器标称阻值系列选定的.

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