MOSFET采用6mmx5mm PowerPAK®SO-8封装，是目前最大导通电阻小于0.6mΩ的两颗25V MOSFET之一。与同类器件相比，SiRA20DP的典型栅极电荷更低，只有61nC，FOM为0.035Ω*nC，低32%。其他25V N沟道MOSFET的导通电阻则要高11%甚至更多。

DLP技术的独特架构，可让HUD系统承受投射长距离VIDs时所产生的强烈太阳光照射。 

强化的VIDs结合透过宽视野(FOV)的影像显示能力，使设计人员能够灵活地制造具有强化景深的AR HUD系统，进而发展交互式而非分散的娱乐信息和丛集系统。

LTC5548直流耦合IF输入的基带驱动电平应符合以下准则：

驱动器应始终为差分(平衡)，采用0.0V共模。

每个IF引脚的典型驱动电平可以是±0.1V连续(0.2V p-p)。

每个IF引脚的驱动电平在信号峰值(0.4V p-p)上不应超过±0.2V。

每个IF引脚的驱动电平不得超过±0.3V绝对最大额定值。而且，这样大的输入信号通常在RF输出处产生不可接受的高频谱再生。

SiRA20DP的低导通电阻可减小传导功率损耗，提高系统效率，实现更高的功率密度，特别适合冗余电源架构中的OR-ring功能。

器件的FOM较低，可提高开关性能，如通信和服务器电源中DC/DC转换，电池系统中的电池切换，以及5V到12V输入电源的负载切换。

对总线共模干扰大，设备EMI要求高的场合，尤其是汽车行业的应用总线采用51μH的共模电感可有效解决问题。加入共模电感带来的问题便是引入谐振干扰。

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