可扩展碳化硅(SiC)驱动器参考设计解决方案，其基础为一系列碳化硅MOSFET产品和的ADuM4135 5KV隔离栅极驱动器。

新的参考设计为客户提供高度隔离的碳化硅MOSFET双栅极驱动开关，以便通过多个拓扑来评估碳化硅MOSFET。这包括为支持同步死区时间保护的半桥开关和无保护异步信号传输而优化的模式。

通过配置，它也可以提供并行驱动以满足研究非钳位感应开关(UIS) 或双脉冲测试的要求。该参考设计专为碳化硅MOSFET分立器件和模块而开发，是用于评估其SiC器件产品组合的工程工具。其电路板支持修改栅极电阻值，以容纳大部分分立器件和模块。

与通用型产品相比，新一代电源卡缘连接器的密度提高了30%，具有更佳连接容限，从而实现更可靠连接。TE的独有设计具有模组化、可扩展的特点，支持配置和PCB设计的更高灵活性。

此类产品是下一代卡缘连接器,可替代当前的SEC-II电源卡缘产品，以独特的设计实现超高的电流和信号密度.主要应用于数据中心、电信设备、工业自动化设备及电源系统等。

在变频家电应用方面，展出三款碳化硅功率器件，分别是第一次亮相的全碳化硅DIPIPMTM和碳化硅SBD，另外还有混合/全碳化硅DIPPFCTM。

全碳化硅DIPIPMTM特别适合变频家电，它采用碳化硅MOSFET损耗更低，效率更高；其碳化硅MOSFET自身体二极管作为FWDi，降低反向恢复电流和噪声。它与超小型的DIPIPMTM封装相同，可使用相同的电路板，额定电流覆盖15A、25A/600V，集成短路保护和欠压保护，同时有温度模拟量输出。

至于碳化硅SBD则可以应用在PFC及光伏发电上。它的损耗比硅器件减少20%，更高I2t，对抗浪涌电流有更强的能力；更强的高频开关特性，可以使周边器件小型化(电抗器)，额定电流覆盖20A/600V。

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