MCU内置有增强型电机控制单元专用电路取代CPU对电机进行控制
发布时间:2023/8/21 21:12:48 访问次数:100
DGD0506和DGD0507闸极驱动器整合自举式二极管，可减少使用组件数量，并采用小巧的3mmx3mm DFN3030封装，极适合空间与重量均受限的应用。
DGD0506半桥仅需单一输入，可将MCU GPIO脚位数减到最少，并可设定盲时为70ns至420ns，提供设计上的弹性。如需更短的盲时，DGD0507具备独立的高侧与低侧输入，可用于更高的切换频率，传输延迟最大35ns，能在5ns内完成匹配。
再加上其具备的防跨导电路逻辑，确保高侧与低侧输出不会同时导通，藉此保护MOSFET。欠压锁定(UVLO)电路也能保护MOSFET，避免发生供电中断。
技术数据：
IEC额定值：10A/250VAC;50Hz
UL/CSA额定值：15A/ VAC;60Hz
配备1个、2个或不配备一体式光导管状态显示
兼容V-lock电源线固定装置及其它带有侧面锁定装置
工作温度：-25℃-70℃
卡扣式安装和PCB接线端子
电机标定工具的新型100kW级逆变器解决方案，扩大其产品阵容，以支持这些大功率电机。新型100 kW级逆变器解决方案的主要特性：
行业领先的3.9升小型设计等级，减轻了逆变器系统的重量，可安装在更小的空间中,其采用了内置温度传感器的IGBT晶圆制作模组. 凭借其内置温度传感器的响应速度和精度的温度管理技术，可以大大减少逆变器系统中散热器的尺寸和重量。
主控的MCU还内置有增强型电机控制单元,专用电路取代CPU直接对电机进行控制。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
DGD0506和DGD0507闸极驱动器整合自举式二极管，可减少使用组件数量，并采用小巧的3mmx3mm DFN3030封装，极适合空间与重量均受限的应用。
DGD0506半桥仅需单一输入，可将MCU GPIO脚位数减到最少，并可设定盲时为70ns至420ns，提供设计上的弹性。如需更短的盲时，DGD0507具备独立的高侧与低侧输入，可用于更高的切换频率，传输延迟最大35ns，能在5ns内完成匹配。
再加上其具备的防跨导电路逻辑，确保高侧与低侧输出不会同时导通，藉此保护MOSFET。欠压锁定(UVLO)电路也能保护MOSFET，避免发生供电中断。
技术数据：
IEC额定值：10A/250VAC;50Hz
UL/CSA额定值：15A/ VAC;60Hz
配备1个、2个或不配备一体式光导管状态显示
兼容V-lock电源线固定装置及其它带有侧面锁定装置
工作温度：-25℃-70℃
卡扣式安装和PCB接线端子
电机标定工具的新型100kW级逆变器解决方案，扩大其产品阵容，以支持这些大功率电机。新型100 kW级逆变器解决方案的主要特性：
行业领先的3.9升小型设计等级，减轻了逆变器系统的重量，可安装在更小的空间中,其采用了内置温度传感器的IGBT晶圆制作模组. 凭借其内置温度传感器的响应速度和精度的温度管理技术，可以大大减少逆变器系统中散热器的尺寸和重量。
主控的MCU还内置有增强型电机控制单元,专用电路取代CPU直接对电机进行控制。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
相关技术资料- 4-30高通舱驾融合控制器SA8775P SoC
- 4-30Oryon CPU、Adreno GPU核心模块技术
- 4-30骁龙Snapdragon Ride平台应用探究
- 4-30LED驱动器、隔离驱动器市场应用前景
- 4-30MemryX MX3 AI 芯片应用简介
- 4-30信号链和电源管理芯片市场应用详解
- 4-293kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块应用概述
- 4-29工业用GaN晶体管产品系列CoolGaN G5研究
- 4-29全球首款集成SBD（肖特基二极管）详解
- 4-29NVIDIA DRIVE Thor SoC芯片数据参数设计
- 4-29Orin-X芯片L4级全场景解决方案
- 4-29全球首发新一代Robotaxi探究
公网安备44030402000607
