铜线键合封装堆叠互连技术减少间距在PoP堆叠装置中大量互连
发布时间:2023/8/10 1:14:43 访问次数:121
借助BVA,我们向市场推出应对业内关键问题的解决方案,不仅具有成本效益,又可提高产品性能和价值。
BVA可提供远高于目前的焊球堆叠和激光填丝焊接技术的高速输入/输出性能，通过增加PoP的中间层带宽来延迟对TSV的需求。BVA PoP是基于铜线键合的封装堆叠互连技术，能够减少间距，并在PoP周围的堆叠装置中大量的互连。
一个完全集成的芯片，采用新的22nm工艺，可以降低能源消耗并提高紧密性。该芯片将成为1GHzAtomZ2000的后续产品，但目前该产品尚未计划对手机服务。
3G智能手机方面，两款32nm工艺的芯片性能都将有大幅提高，XoloX900将载有双核心处理器并支持LTE，而单核心的Z2460芯片性能也将提升一倍。
代号为Merrifield的低功耗Atom芯片,这将采用22nm工艺、英特尔新的3D晶体管技术以及其即将推出的新处理器设计，该公司认为这种新的组合将产生新品种的移动设备。
片上闪存密度选择和众多模拟、连接和HMI外设选项，可以提高各种应用的智能特性。
该系列还满足了对入门级设计非常关键的易用性要求，对于考虑32位解决方案的开发人员来说这经常会成为障碍。MCU及其随附支持包中的特性将提供易用性，支持快速使用新的器件功能。这将允许开发人员利用Kinetis L系列MCU的全面功效，同时保持入门级设计的快速开发周期。
Kinetis系列可以通过兼容的Kinetis K系列器件（基于ARM Cortex-M4）实现向上迁移，获得DSP性能和高级特性集成。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
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