汽车工业需求升级改造碳化硅MOSFET晶体管和二极管生产线
发布时间:2023/8/7 0:02:34 访问次数:55
一款高压非隔离式同步降压型开关稳压器控制器LTC3895，该器件可驱动一个全N沟道MOSFET电源级。其4V至140V(150V绝对最大值) 输入电压范围允许使用高压输入电源或具高压浪涌的输入工作，从而无需外部浪涌抑制器件。
LTC3895在输入电压降至4V时可继续以高达100%占空比运行，从而非常适合交通运输、工业控制、机器人和数据通信应用。
电流折返在过载情况下限制MOSFET产生的热量。其他特点包括固定5V或3.3V输出选择、集成的自举二极管、一个电源良好输出信号、可调输入过压闭锁和软启动。
目前的加速器大多数是基于PCI-E总线，不过PCI-E 3.0总线虽然在显卡上够用了，但在数据中心应用中存在带宽低、延迟高的问题.
PCI-E 4.0总线又迟迟不能问世，他们将推动统一的加速器标准，目标就是创造出带宽更高、延迟更低、TCO成本更低的加速器标准，支持处理器及加速器之间的缓存一致性。
作为碳化硅技术的领导者,针对汽车所有主要电气模块,新一代整流管和MOSFET晶体管。
1200V碳化硅MOSFET晶体管，创下业内领先的200°C额定工作温度，让设计人员能够实现更高效、简化的设计。
最先进的制造工艺和4吋晶圆制造碳化硅二极管和晶体管。为降低制造成本，提高产品质量和产能，满足汽车工业的需求，正在升级改造碳化硅MOSFET晶体管和二极管的生产线。
完成650V AEC-Q101级碳化硅二极管认证，最新的650V碳化硅MOSFET和1200V碳化硅二极管。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
一款高压非隔离式同步降压型开关稳压器控制器LTC3895，该器件可驱动一个全N沟道MOSFET电源级。其4V至140V(150V绝对最大值) 输入电压范围允许使用高压输入电源或具高压浪涌的输入工作，从而无需外部浪涌抑制器件。
LTC3895在输入电压降至4V时可继续以高达100%占空比运行，从而非常适合交通运输、工业控制、机器人和数据通信应用。
电流折返在过载情况下限制MOSFET产生的热量。其他特点包括固定5V或3.3V输出选择、集成的自举二极管、一个电源良好输出信号、可调输入过压闭锁和软启动。
目前的加速器大多数是基于PCI-E总线，不过PCI-E 3.0总线虽然在显卡上够用了，但在数据中心应用中存在带宽低、延迟高的问题.
PCI-E 4.0总线又迟迟不能问世，他们将推动统一的加速器标准，目标就是创造出带宽更高、延迟更低、TCO成本更低的加速器标准，支持处理器及加速器之间的缓存一致性。
作为碳化硅技术的领导者,针对汽车所有主要电气模块,新一代整流管和MOSFET晶体管。
1200V碳化硅MOSFET晶体管，创下业内领先的200°C额定工作温度，让设计人员能够实现更高效、简化的设计。
最先进的制造工艺和4吋晶圆制造碳化硅二极管和晶体管。为降低制造成本，提高产品质量和产能，满足汽车工业的需求，正在升级改造碳化硅MOSFET晶体管和二极管的生产线。
完成650V AEC-Q101级碳化硅二极管认证，最新的650V碳化硅MOSFET和1200V碳化硅二极管。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
相关技术资料- 4-30高通舱驾融合控制器SA8775P SoC
- 4-30Oryon CPU、Adreno GPU核心模块技术
- 4-30骁龙Snapdragon Ride平台应用探究
- 4-30LED驱动器、隔离驱动器市场应用前景
- 4-30MemryX MX3 AI 芯片应用简介
- 4-30信号链和电源管理芯片市场应用详解
- 4-293kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块应用概述
- 4-29工业用GaN晶体管产品系列CoolGaN G5研究
- 4-29全球首款集成SBD（肖特基二极管）详解
- 4-29NVIDIA DRIVE Thor SoC芯片数据参数设计
- 4-29Orin-X芯片L4级全场景解决方案
- 4-29全球首发新一代Robotaxi探究
公网安备44030402000607
