载波泄漏和欠佳边带抑制产生误差矢量幅值和相邻通道功率比
发布时间:2023/8/6 23:48:31 访问次数:99
零IF调制器具有过多的载波泄漏和欠佳的边带抑制，因而产生了不良的误差矢量幅值(EVM)和相邻通道功率比(ACPR)。
LTC5589的增益可通过片内串行端口设定。一种粗增益控制提供1dB步进及0.1dB的可调精细增益控制。总增益范围为–19dB至0dB。
改变调制器增益会影响器件电源电流 (从9mA至39mA)，因此可根据具体应用的需要，通过略微降低增益和性能，把该器件设定为以更低功耗运行。一旦设定完毕，就可以通过激活内置温度校准功能，自动对增益进行温度补偿。
水银灯需要复杂的驱动电路，要用2到15分钟进行预热，而VLMU3510-365-130只要使用简单的低压电路，也没有预热时间。
目前，功率模块通常主要依赖于标准硅二极管和隔离栅双极晶体管(IGBT)。
新产品可用于高压功率模块和分立功率解决方案,包括牵引变频器,车载充电器和辅助直流-直流转换器。
目前，功率模块通常主要依赖于标准硅二极管和隔离栅双极晶体管(IGBT)。
碳化硅是一项较新的宽带隙技术，可使功率模块尺寸变得更小，而工作电压远高于今天电动汽车和混动汽车动力总成的400V电压。
碳化硅二极管和晶体管的结构缩小，内部电阻随之变低，响应速度较标准硅产品更快，实现电能损耗最小化，使相关器件尺寸缩小，节省空间，降低重量。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
零IF调制器具有过多的载波泄漏和欠佳的边带抑制，因而产生了不良的误差矢量幅值(EVM)和相邻通道功率比(ACPR)。
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改变调制器增益会影响器件电源电流 (从9mA至39mA)，因此可根据具体应用的需要，通过略微降低增益和性能，把该器件设定为以更低功耗运行。一旦设定完毕，就可以通过激活内置温度校准功能，自动对增益进行温度补偿。
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目前，功率模块通常主要依赖于标准硅二极管和隔离栅双极晶体管(IGBT)。
新产品可用于高压功率模块和分立功率解决方案,包括牵引变频器,车载充电器和辅助直流-直流转换器。
目前，功率模块通常主要依赖于标准硅二极管和隔离栅双极晶体管(IGBT)。
碳化硅是一项较新的宽带隙技术，可使功率模块尺寸变得更小，而工作电压远高于今天电动汽车和混动汽车动力总成的400V电压。
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