温度范围内实现高性能精度1.3%最高失调漂移和1.5%增益漂移
发布时间:2023/8/3 22:36:44 访问次数:84
模拟电压输出均与灵敏度水平（40~80mV/A）成正比，具体取决于模型，典型响应时间为5μs。GHS传感器并非简单的开环霍尔效应ASIC传感器，该系列产品具有独特的主集成导体，实现了梯度测量，能够在电力电子应用中实现出色的外场抗扰度。
这些专用设计整合了通过现场验证的技术和可编程内部温度补偿（EEPROM），从而确保在整个温度范围内实现高性能精度、1.3%的最高失调漂移和1.5%的增益漂移。
GHS模型设计用于各种其他应用，包括不间断与开关模式电源、家用电器、面向DC电机驱动器的静态转换器和机器人。
该电路板配备了具有DXVA（全AVC/VC1/MPEG2 HW解码）、OpenGL 4.4、DirectX 11.3、OpenGL 4.4和OpenCL 2.1的Intel HD Graphics 520。
还具有嵌入式显示接口，包括HDMI（高达4096x2160p）与VGA接口（高达1920x1200p）之间的切换、48位LVDS和新一代嵌入式接口 - eDP。还为创新应用提供了采用48位LVDS、VGA和HDMI的三重独立显示器。
由于元件的ESL值极低，IGBT关断所产生的电压尖峰几乎能完全消除。
新电容器还提供采用相同外壳的扁平绕组型号.该型号电容值为470μF，额定电压同样为450V DC，等效串联电阻为0.8mΩ，等效串联电感为25nH。在最高105°C的环境温度和最低-75°C的冷凝温度条件下，其电流承载能力同样约为150A。
高压直流EMC滤波器接口的电容器型号。总之，IGBT模块与新型链路电路电容器相结合实现了紧凑的逆变器结构，满足xEV或工业逆变器应用要求。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
模拟电压输出均与灵敏度水平（40~80mV/A）成正比，具体取决于模型，典型响应时间为5μs。GHS传感器并非简单的开环霍尔效应ASIC传感器，该系列产品具有独特的主集成导体，实现了梯度测量，能够在电力电子应用中实现出色的外场抗扰度。
这些专用设计整合了通过现场验证的技术和可编程内部温度补偿（EEPROM），从而确保在整个温度范围内实现高性能精度、1.3%的最高失调漂移和1.5%的增益漂移。
GHS模型设计用于各种其他应用，包括不间断与开关模式电源、家用电器、面向DC电机驱动器的静态转换器和机器人。
该电路板配备了具有DXVA（全AVC/VC1/MPEG2 HW解码）、OpenGL 4.4、DirectX 11.3、OpenGL 4.4和OpenCL 2.1的Intel HD Graphics 520。
还具有嵌入式显示接口，包括HDMI（高达4096x2160p）与VGA接口（高达1920x1200p）之间的切换、48位LVDS和新一代嵌入式接口 - eDP。还为创新应用提供了采用48位LVDS、VGA和HDMI的三重独立显示器。
由于元件的ESL值极低，IGBT关断所产生的电压尖峰几乎能完全消除。
新电容器还提供采用相同外壳的扁平绕组型号.该型号电容值为470μF，额定电压同样为450V DC，等效串联电阻为0.8mΩ，等效串联电感为25nH。在最高105°C的环境温度和最低-75°C的冷凝温度条件下，其电流承载能力同样约为150A。
高压直流EMC滤波器接口的电容器型号。总之，IGBT模块与新型链路电路电容器相结合实现了紧凑的逆变器结构，满足xEV或工业逆变器应用要求。
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