一个完整的物理IP基础平台,在联电的55ULP工艺技术是实现低功耗和新兴的物联网应用成本敏感的设计是至关重要的,通过提供优化目标能效，ARM与联电所提供的SoC设计者提供了一整套新工具的功能库。

物联网芯片设计者们被要求在更多的权力受限的环境中提供更高集成度的解决方案，以及更迅速，联电拥有铸造行业最强大的物联网专用的55纳米技术平台，通过综合性极强的IP资源支持，以解决”总是在物联网产品的“超低功耗的要求。

我们55ULP平台增加了工匠物理IP立即增加工具的广度，我们可以提供，以减少复杂性和上市时间。

在0.9V的超低电压域，从而节省高达44％的动态功耗和25％的泄漏功率相比于1.2V域操作

多VTS多通道库提供SoC设计人员泄漏和性能选项。长信道的库可用于高达80％的进一步减少泄漏。电源管理工具包（PMK）使主动和泄漏功率缓解。

创新的厚栅氧化层库将可以显着降低泄漏（350X低于常规标准单元）的总对细胞。此库的较高电压（包括在物联网设备中使用的电池电压）进行接口的能力也可提供否定需要一个电压调节器的优点。

新一代高密度存储编译器提供多种集成的电源模式来保存状态，同时尽量减少待机泄漏.利用这些模式将允许时相比,经常待机的SoC设计人员能够实现低高达95％的渗漏。

MLJ1608系列使用新开发的使用低损耗铁素体材料，在交流信号条件下通电时也实现了高于同形状的卷线线圈的低损耗特性。

另外，还改善了铁素体材料的重叠特性，在流经NFC电路的最大为300mA左右的电流下，能够确保与卷线线圈同等的特性。当然也确保了电感的窄公差、High-Q、磁屏蔽特性，成为了满足NFC用线圈所要求的全部特性的产品。

电感扩展了160nH～560nH，同时也在开发针对低耗电用NFC-IC和小型化要求的MLJ1005系列电感器。

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