16-bit硬件过采样滤波功能和分辨率可配置功能还拥有2个12位DAC
发布时间:2023/7/30 22:03:40 访问次数:71
新型直流支撑电容器为B32774P至B32778P,引脚间距为27.5mm,37.5mm或52.5mm,具体视型号而定。
为了保证电容在PCB板上的机械稳定性，对于两个脚间距较大的型号，我们提供四个引脚的版本,并将引脚间距为27.5mm的型号的引线直径增大为1mm。电容器的外壳和填充树脂都符合UL 94 V-0阻燃等级要求，且所有电容器均满足RoHS标准，通流能力高，有效电流最高可达23.5ARMS。
电容器具有非常低的等效串联电感(ESR)值和等效串联电阻(ESR)值，非常适合用于工业电子逆变器和电源，以及车载DC-DC转换器。
与偏心旋转电机执行器(ERM)和线性谐振执行器(LRA)等常规电磁制动器相比，带触觉反馈的压电执行器具有最佳的加速度和力，最大的插入高度和最短的响应时间。
这是一款一体化独立元件，带集成传感功能：5N型实现了5.0g的加速度，上升时间为2ms，而20N型具有15.0g的加速度，上升时间仅为1 ms.对比而言，传统的LRA仅提供1.7g的加速度，上升时间为25ms。
USB 2.0 FS全速接口还拥有独立的48MHz振荡器来替代外部晶振。芯片配备了3个采样率高达2.6MSPS的12位高速ADC，提供了多达24个可复用通道，并新增了16-bit硬件过采样滤波功能和分辨率可配置功能，还拥有2个12位DAC，为支持混合信号控制提供了更高的性价比。
多达80%的可用GPIO具有多种可选功能还支持端口重映射,极佳的灵活性和易用性满足多种应用需求。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
新型直流支撑电容器为B32774P至B32778P,引脚间距为27.5mm,37.5mm或52.5mm,具体视型号而定。
为了保证电容在PCB板上的机械稳定性，对于两个脚间距较大的型号，我们提供四个引脚的版本,并将引脚间距为27.5mm的型号的引线直径增大为1mm。电容器的外壳和填充树脂都符合UL 94 V-0阻燃等级要求，且所有电容器均满足RoHS标准，通流能力高，有效电流最高可达23.5ARMS。
电容器具有非常低的等效串联电感(ESR)值和等效串联电阻(ESR)值，非常适合用于工业电子逆变器和电源，以及车载DC-DC转换器。
与偏心旋转电机执行器(ERM)和线性谐振执行器(LRA)等常规电磁制动器相比，带触觉反馈的压电执行器具有最佳的加速度和力，最大的插入高度和最短的响应时间。
这是一款一体化独立元件，带集成传感功能：5N型实现了5.0g的加速度，上升时间为2ms，而20N型具有15.0g的加速度，上升时间仅为1 ms.对比而言，传统的LRA仅提供1.7g的加速度，上升时间为25ms。
USB 2.0 FS全速接口还拥有独立的48MHz振荡器来替代外部晶振。芯片配备了3个采样率高达2.6MSPS的12位高速ADC，提供了多达24个可复用通道，并新增了16-bit硬件过采样滤波功能和分辨率可配置功能，还拥有2个12位DAC，为支持混合信号控制提供了更高的性价比。
多达80%的可用GPIO具有多种可选功能还支持端口重映射,极佳的灵活性和易用性满足多种应用需求。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
相关技术资料- 4-30高通舱驾融合控制器SA8775P SoC
- 4-30Oryon CPU、Adreno GPU核心模块技术
- 4-30骁龙Snapdragon Ride平台应用探究
- 4-30LED驱动器、隔离驱动器市场应用前景
- 4-30MemryX MX3 AI 芯片应用简介
- 4-30信号链和电源管理芯片市场应用详解
- 4-293kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块应用概述
- 4-29工业用GaN晶体管产品系列CoolGaN G5研究
- 4-29全球首款集成SBD（肖特基二极管）详解
- 4-29NVIDIA DRIVE Thor SoC芯片数据参数设计
- 4-29Orin-X芯片L4级全场景解决方案
- 4-29全球首发新一代Robotaxi探究
公网安备44030402000607
