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这一串口芯片寄存器从处理器角度来看都是独立I/O端口

发布时间:2023/7/30 11:54:18 访问次数:48

制造工艺也会从22nm进步到最新的14nm,更有利于缩小内核面积、扩大计算规模、降低整体功耗。

特别是在内存配置方面,Knights Landing会提供三种不同的方式,同时只需标准的内存编程模型即可,不像其它百亿亿次超高性能计算的概念设计那样还得开发特定的代码。

Knights Landing的主处理器版本会在内部整合封装高带宽的内存缓冲(胶水式而非原生),再搭配外部的DDR3、DDR4内存,将极大地提升内存密集型应用的性能。

协处理器80x87的内部结构,它可分为二个主要部分:控制部件(CU)和数值执行部件(NEU)。

外设芯片大体上外设分为两类,一类是存储器外设,而另一类是非存储器外设,后者常被称之为I/O设备,这里的I/O是Input/Output的简写,即输入、输出。可见,I/O外设是一个非常宽泛的概念。对于存储器外设,其特点是,它所占用的空间是连续的一片。

SDRAM内存就是属于存储器外设,如果其容量是8M字节,那么其占用的地址空间也会是8M的。

一个串口芯片可能存在多个寄存器,一个用来查询芯片的状态,一个用来设置芯片的功能,另一个用来读取芯片从串口线所收到的数据,最后,还有一个用来向芯片写数据以向串口线上发送数据。对于这一串口芯片的寄存器,从处理器的角度来看,都是独立的I/O端口。

一次可编程(OTP)和多次可编程(MTP)存储器,Kilopass现在的存储器IP主要有SecretCode NVM IP、Gusto NVM IP和XPM NVM三条产品线。

Kilopass的反熔丝基晶体管和双晶体管位单元非易失性存储器(two-transistor bitcell non-volatile memory)IP可用于广泛的标准CMOS工艺,包括10nm和7nm,针对熔丝更换(fuse replacement)、安全密钥存储、器件ID、模拟调整和代码进行了优化存储。

这些IP支持超低功耗非易失性存储器要求的代码存储,包括高密度NVM,与ROM或嵌入式闪存相比可降低成本。


深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com

制造工艺也会从22nm进步到最新的14nm,更有利于缩小内核面积、扩大计算规模、降低整体功耗。

特别是在内存配置方面,Knights Landing会提供三种不同的方式,同时只需标准的内存编程模型即可,不像其它百亿亿次超高性能计算的概念设计那样还得开发特定的代码。

Knights Landing的主处理器版本会在内部整合封装高带宽的内存缓冲(胶水式而非原生),再搭配外部的DDR3、DDR4内存,将极大地提升内存密集型应用的性能。

协处理器80x87的内部结构,它可分为二个主要部分:控制部件(CU)和数值执行部件(NEU)。

外设芯片大体上外设分为两类,一类是存储器外设,而另一类是非存储器外设,后者常被称之为I/O设备,这里的I/O是Input/Output的简写,即输入、输出。可见,I/O外设是一个非常宽泛的概念。对于存储器外设,其特点是,它所占用的空间是连续的一片。

SDRAM内存就是属于存储器外设,如果其容量是8M字节,那么其占用的地址空间也会是8M的。

一个串口芯片可能存在多个寄存器,一个用来查询芯片的状态,一个用来设置芯片的功能,另一个用来读取芯片从串口线所收到的数据,最后,还有一个用来向芯片写数据以向串口线上发送数据。对于这一串口芯片的寄存器,从处理器的角度来看,都是独立的I/O端口。

一次可编程(OTP)和多次可编程(MTP)存储器,Kilopass现在的存储器IP主要有SecretCode NVM IP、Gusto NVM IP和XPM NVM三条产品线。

Kilopass的反熔丝基晶体管和双晶体管位单元非易失性存储器(two-transistor bitcell non-volatile memory)IP可用于广泛的标准CMOS工艺,包括10nm和7nm,针对熔丝更换(fuse replacement)、安全密钥存储、器件ID、模拟调整和代码进行了优化存储。

这些IP支持超低功耗非易失性存储器要求的代码存储,包括高密度NVM,与ROM或嵌入式闪存相比可降低成本。


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