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200kHz下最小Q值60高带宽焊入式InfiniiMax II/III探头与示波器连接

发布时间:2023/7/29 8:51:50 访问次数:32

UltraScale器件DDR4存储器解决方案以2400Mb/s运行速度,经是DDR4存储器解决方案。

DDR4 BGA内插器解决方案支持不同的封装。N2114Ax4/x8 BGA内插器可以探测x4和x8 DRAM封装设计。N2115Ax16 BGA内插器可以让工程师对x16 DRAM封装设计进行探测。两款产品均可通过高带宽焊入式InfiniiMax II/III探头与示波器连接。

用于Infiniium系列示波器的DDR4球形栅格阵列(BGA)内插器探测解决方案。DDR4 BGA探头与示波器结合使用,可以让工程师调试和表征他们的DDR4内存设计,及验证器件与JEDEC DDR4标准的一致性。

器件符合RoHS,在200kHz下的电感为15μH,电感公差为±5%,在+25℃下的DCR为255mΩ,在200kHz下的最小Q值为60。IWAS-4832FE-50的额定电流为2A,使充电器在5V电压下的充电功率达到10W。接收线圈的引线长度为50mm,镀锡部分的长度为10mm。

该微型拈采用全面集成的9焊球MicroSiP封装将开关稳压器、电感器以及输入输出电容器进行完美整合,可实现仅为6.7平方毫米的解决方案尺寸。

低电容型SP3014系列瞬态抑制二极管阵列,为可能经历破坏性静电放电的电子设备提供保护。

在100mV的步进下,TPS82740A支持1.8 V至2.5V输出电压,而TPS82740B则支持2.6V至3.3V电压,可充分满足TI最新超低功耗微控制器(MCU)MSP430FR59xx等微控制器以及SimpleLink™CC2540T无线MCU等蓝牙(Bluetooth®)低能耗解决方案的电源需求。

TPS82740A与TPS82740B的主要优势:

全面集成型MicroSiP拈包含所有无源组件,支持6.7平方毫米的解决方案尺寸,比分立式解决方案小75%;支持仅为360nA的静态工作电流以及70nA的待机流耗。集成型负载开关与3引脚电压选择功能可在工作中快速优化功耗。

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com

UltraScale器件DDR4存储器解决方案以2400Mb/s运行速度,经是DDR4存储器解决方案。

DDR4 BGA内插器解决方案支持不同的封装。N2114Ax4/x8 BGA内插器可以探测x4和x8 DRAM封装设计。N2115Ax16 BGA内插器可以让工程师对x16 DRAM封装设计进行探测。两款产品均可通过高带宽焊入式InfiniiMax II/III探头与示波器连接。

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器件符合RoHS,在200kHz下的电感为15μH,电感公差为±5%,在+25℃下的DCR为255mΩ,在200kHz下的最小Q值为60。IWAS-4832FE-50的额定电流为2A,使充电器在5V电压下的充电功率达到10W。接收线圈的引线长度为50mm,镀锡部分的长度为10mm。

该微型拈采用全面集成的9焊球MicroSiP封装将开关稳压器、电感器以及输入输出电容器进行完美整合,可实现仅为6.7平方毫米的解决方案尺寸。

低电容型SP3014系列瞬态抑制二极管阵列,为可能经历破坏性静电放电的电子设备提供保护。

在100mV的步进下,TPS82740A支持1.8 V至2.5V输出电压,而TPS82740B则支持2.6V至3.3V电压,可充分满足TI最新超低功耗微控制器(MCU)MSP430FR59xx等微控制器以及SimpleLink™CC2540T无线MCU等蓝牙(Bluetooth®)低能耗解决方案的电源需求。

TPS82740A与TPS82740B的主要优势:

全面集成型MicroSiP拈包含所有无源组件,支持6.7平方毫米的解决方案尺寸,比分立式解决方案小75%;支持仅为360nA的静态工作电流以及70nA的待机流耗。集成型负载开关与3引脚电压选择功能可在工作中快速优化功耗。

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