平面式高压MOSFET的结构显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。

平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低的RDS(on)值。

大单元密度和管芯尺寸还伴随高栅极和输出电荷，这会增加开关损耗和成本。另外还存在对于总硅片电阻能够达到多低的限制。器件的总RDS(on)可表示为通道、epi和衬底三个分量之和：

RDS(on)=Rch+Repi+Rsub

高温高分子聚合物正温度系数(简称PPTC)自恢复保险丝。 采用1206和1210(3014和3024公制)表面贴片封装，工作温度高达125 ℃，Bourns所设计的微型化MF-NSHT与MF-USHT系列是汽车系统的电路保护首选;优异的自恢复过电流防护特性也适用于高温作业环境的新一代高密度工业电路板、电信及消费电子产品。

最新的高温Multifuse®产品采用Bourns 的freeXpansion™制程;此制程可大大缩小封装的体积、提高维持电流(Ihold)、稳定阻值，同时拉高额定电压(Vmax)。

在高温下，MF-NSHT与MF-USHT系列的Ihold可高达0.50Amps，R1可压低至1.6Ohms。 

此外，它还可以在商业市场针对ATM自动取款机、机器人吸尘器、打印机、复印机、票务和售货机等应用来驱动无刷直流电机。

EIA 0805-1812外壳尺寸的扩展电容范围。与以前的产品组合相比，现在电压额定值为500、630和1000VDC的器件提供的最大电容值平均提高了三倍。

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