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一个电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用

发布时间:2023/7/27 12:09:36 访问次数:171

电流控制体器件,它的主要作用是把微弱信号放大,输入阻抗低,在基极b给一个很小的电流Ib,在集电极c上得到一个比较大的电流Ic。

它是电流放大器件,但是在实际时候通常通过一个电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用,因此,只要电路参数设置合适,一般输出电压可以比输入电压高很多倍。它有三个工作状态:截止状态、放大状态、饱和状态。

随着bit数量的增加,带来的好处是同样规模的颗粒可以存储更多的数据,从而实现SSD容量上的大规模提升。而这样带来的副作用是更繁琐的寻址带来的快速老化和同容量下更低的性能。


三极管一般是弱电中使用,而且出现在开关作用、电流放大作用,例如蜂鸣器驱动、数码管驱动、直流小风扇驱动等方面。如果由于单片机I/O口驱动能力有限,可以加三极管扩大驱动电流,场效应管是电压控制器件,它是继三极管之后的新一代放大元件,场效应晶体管可分为耗尽型效应晶体管和增强型效应晶体管,同时又有N沟道和P沟耗尽型之分。

场效应管一般用于开关作用,有开关用以及有功率用。特别是电机、开关电源等,应用场合一般都是出现在需要耐压高、耐电流大、频率特性高的时候。


按接线,电流互感器的一次侧首端为P1,末端为P2,如果是穿心式则直接把电线按电流的流向:自P1流向P2穿过。用万用表测量出同一二次绕组的两个接线端,然后把机械式万用表打到DCmA电流档,进行接线,一定要注意电流的流向P1→P2。

NAND闪存的基础单元被称作Cell,如果每个Cell只存储一个bit的数据也就是传统的SLC(Single-Level Cell )颗粒,如果存储2bit数据则称为MLC(Multi-Level Cell)颗粒,以此类推,TLC(Trinary-Level Cell)则为3bit,而QLC每个Cell中的数据达到了4bit。


深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com



电流控制体器件,它的主要作用是把微弱信号放大,输入阻抗低,在基极b给一个很小的电流Ib,在集电极c上得到一个比较大的电流Ic。

它是电流放大器件,但是在实际时候通常通过一个电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用,因此,只要电路参数设置合适,一般输出电压可以比输入电压高很多倍。它有三个工作状态:截止状态、放大状态、饱和状态。

随着bit数量的增加,带来的好处是同样规模的颗粒可以存储更多的数据,从而实现SSD容量上的大规模提升。而这样带来的副作用是更繁琐的寻址带来的快速老化和同容量下更低的性能。


三极管一般是弱电中使用,而且出现在开关作用、电流放大作用,例如蜂鸣器驱动、数码管驱动、直流小风扇驱动等方面。如果由于单片机I/O口驱动能力有限,可以加三极管扩大驱动电流,场效应管是电压控制器件,它是继三极管之后的新一代放大元件,场效应晶体管可分为耗尽型效应晶体管和增强型效应晶体管,同时又有N沟道和P沟耗尽型之分。

场效应管一般用于开关作用,有开关用以及有功率用。特别是电机、开关电源等,应用场合一般都是出现在需要耐压高、耐电流大、频率特性高的时候。


按接线,电流互感器的一次侧首端为P1,末端为P2,如果是穿心式则直接把电线按电流的流向:自P1流向P2穿过。用万用表测量出同一二次绕组的两个接线端,然后把机械式万用表打到DCmA电流档,进行接线,一定要注意电流的流向P1→P2。

NAND闪存的基础单元被称作Cell,如果每个Cell只存储一个bit的数据也就是传统的SLC(Single-Level Cell )颗粒,如果存储2bit数据则称为MLC(Multi-Level Cell)颗粒,以此类推,TLC(Trinary-Level Cell)则为3bit,而QLC每个Cell中的数据达到了4bit。


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